贵州制造电阻测试系统解决方案

焊点助焊剂(Flux)清洁与否，将影响ECM发生多寡IC芯片封装成BGA后，于植球时会使用助焊剂(Flux)确保两种不同的金属或合金连接顺利。宜特可靠性验证实验室就观察到，Flux工艺后，若没有进行清洁动作，不仅残留物将阻碍Underfill流动路径(图四)，导致填充胶无法填满芯片底部，造成许多的气泡(延伸阅读:如何利用真空压力烤箱消灭UnderfillVoid)，更会加剧ECM的发生。可靠性验证实验室，特别做了两项实验设计(DOE)，实验条件套用HAST常见的温度:130°C/湿度:85%RH，使用助焊剂为坊间常见免清洗型助焊剂。***项DOE样品不做助焊剂清洁(Flux clean)，第二项DOE样品做助焊剂清洁(Flux Clean)，DOE结果可清楚看到，未做Flux Clean的样品，出现了ECM现象(图五(左))，而有做Flux Clean的样品，尽管同样出现ECM现象(图五(右))，但非常细微。维柯多通道导通电阻实时监控测试系统 GWLR256与冷热冲击试验箱配合使用，用于产品导通（低 阻）性能验证。贵州制造电阻测试系统解决方案

局部萃取的离子色谱法在过去的十年中，一种新兴的方法得到了***的应用，那就是局部萃取，然后用离子色谱(IC)分析来控制重要的清洁度，通常被称为C3测试。这种方法使用冷蒸汽直接通过一个小喷嘴，并在选定的电路板和组件表面冷凝，用以溶解各种离子。然后喷嘴将水和离子的溶液萃取回测试池中进行测试。电流通过萃取物，并测量达到持续状态的时间。然后用离子色谱法对萃取物进行检测，以确定其中存在的离子种类及数量。这种类型的测试特别适用于对电路板上潜在的问题区域进行抽查，例如低间距组件、高热质量区域、选择性焊接的部件和清洗过的组件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到质量保证协议中，以验证测试结果随时间变化的一致性和很多不同组装工艺的一致性。贵州制造电阻测试系统解决方案测试电压可以扩展使用外接电压，最大电压可高达2000V。

表面绝缘电阻测试（SIR测试）根据IPC的定义，表面绝缘电阻(SIR)是在特定环境和电气条件下确定的一对触点、导体或接地设备之间的绝缘材料的电阻。在印刷电路板(PCB)和印刷电路组件(PCA)领域，SIR测试——通常也称为温湿度偏差(THB)测试——用于评估产品或工艺的抗“通过电流泄漏或电气短路（即树枝状生长）导致故障”。SIR测试通常在升高的温度和湿度条件下在制定 SIR 测试策略时，选择用于测试的产品或过程将有助于确定**合适的 SIR 测试方法以及**适用的测试工具。一般而言，SIR 测试通常用于对助焊剂和/或清洁工艺进行分类、鉴定或比较。对于后者，SIR 测试通常用于评估一个人的“免清洗”焊接操作。执行，例如85°C/85%RH和40°C/90%，并定期获得绝缘电阻(IR)测量值。

金属离子迁移过程此失效样品灌封胶有机物与电路板上电阻存在一定缝隙，未能完全隔绝两端电极，缝隙的存在为电化学迁移提供了迁移通道。因此密封电阻与电路板间缝隙能够抑制金属离子的迁移过程。针对金属离子的迁移过程，可以加入络合剂，使其与金属正离子形成带负电荷的络合物，带负电的络合物将不会往阴极方向迁移和在阴极处发生还原沉积，由此达到抑制金属离子往阴极迁移的目的。同时，随着外电场强度增大，会加快阳极溶解、离子迁移和离子沉积过程。根据文献[10]报道，当外电压不超过2V时，形成的树枝状沉积物数目较少，且外加电压的增加会使得电化学迁移造成的短路失效时间会***缩短。因此，尽量在设计阶段中，设置元件在工作状态时为较低的外电场，也能避免由于快速发生电化学迁移而导致的短路失效，延长使用寿命。GWHR-256多通道 SIR/CAF实时监控测试系统搭配广州维柯CAF测试软件，更好更快速完成检测。

剖面结构观察通过SEM观察失效电阻镶样的横截面，如图4所示。由图4可发现：电阻一端外电极有一个明显的腐蚀凹坑，这是由电化学反中阳极溶解所产生的，腐蚀形态主要为点蚀。根据文献[5]报道，在电解液中存在Cl-的电化学过程中，阳极表面的钝化膜易溶解于含Cl-的溶液中，或Cl-直接渗透阳极表面的钝化膜，造成钝化膜开裂或形成微孔诱发局部腐蚀，**终形成点蚀坑的腐蚀形貌。电化学迁移失效复现根据失效分析，得出离子、潮气及电场为失效的敏感因子，故设计故障复现试验。将样品分为两组，1000h潮热加电实验。精度高：优于同业产品。江苏销售电阻测试发展

1-500V 1-2000V 以0.1V分辨率任意值可调。贵州制造电阻测试系统解决方案

金属离子在阴极沉积过程在阴极区，阳极溶解生成的金属离子（主要为锡离子和铅离子）在电场的作用下，在电解液中迁移到阴极得到电子直接生成金属单质；或者与阴极生成的氢氧根离子相遇而生成氢氧化物的沉淀物，氢氧化物的沉淀物发生脱水分解为氧化物，氧化物继续还原为金属单质。伴随着枝晶的生长过程，阴极区还发生的反应为电解质中溶解氧气的还原反应及水的还原反应，反应方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O为建立可抑制电化学迁移中阴极还原沉积过程，可能的有效途径为可以在阴极表面添加不同的活性剂，使阴极沉积物由树枝状结构变为分散在阴极表面，由此可有效避免由树枝状枝晶的生长而造成的短路失效。贵州制造电阻测试系统解决方案

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