电子元器件失效分析项目1、元器件类失效电感、电阻、电容:开裂、破裂、裂纹、参数变化2、器件/模块失效二极管、三极管、LED灯3、集成电路失效DIP封装芯片、PGA封装芯片、SOP/SSOP系列芯片、QFP系列芯片、BGA封装芯片4、PCB&PCBA焊接失效PCB板面起泡、分层、阻焊膜脱落、发黑,迁移氧化,腐蚀,开路,短路、CAF短时失效;板面变色,锡面变色,焊盘变色;孔间绝缘性能下降;深孔开裂;爆板等PCBA(ENIG、化镍沉金、电镀镍金、OSP、喷锡板)焊接不良;端子(引脚)上锡不良,表面异物、电迁移、元件脱落等5、DPA分析电阻器/电容器/热敏电阻器/二极管等电子元器件可靠性验证服务精度高:优于同业产品。江西pcb离子迁移绝缘电阻测试批量定制
类型1~2000V通道数16-256测试组数1-16组工作时间1-9999小时偏置电压1-2000VDC(步进)测试电压1-2000VDC(步进)电阻测量范围1x104-1x1014Ω电阻测量精度1x104-1x1010Ω≤±2%1x1010-1x1011Ω≤±5%1x1011-1x1014Ω≤20%测试间隔时间1-600分钟测试速度20mS/所有通道测试电压稳定时间1-600秒(可设置)高阻判定阀值1x106-109Ω短路保护电流阀值5–500uA保护电阻1MΩ测试电缆线材耐高温特氟纶线(≧1014Ω,200℃)长度标配,office软件、数据库GWHR-256产品优势:1、精度高:优于同业产品;2、测试速度快:20ms/所有通道;3、结构、配置灵活:板卡设计,可选择16路*N(1≥N≤16);4、测试配置灵活:每组板卡可设置不同的测试电压,可同时完成多任务测试;5、容错机制强:任何一组板卡发生故障不影响其它通道的正常测试;6、接口友好:软件可定制,或开放数据接口,或接入实验室LIMS系统;7、操作方便:充分考虑实验室应用场景,方便工程师实施工作。 江西pcb离子迁移绝缘电阻测试批量定制SIR测试参考标准:JIS Z 3197 Test methods for soldering fluxes钎焊熔剂的试验方法。
CAF测试方法案例: 1、保持测试样品无污染,做好标记,用无污染手套移动样品。做好预先准备,防止短路和开路。清洁后连接导线,连接后再清洁。烘干,在105±2℃下烘烤6小时。进行预处理,在中立环境下,保持23±2℃和50±5%的相对湿度至少24h。2、在该测试方法中相对湿度的严格控制是关键性的。5%的相对湿度偏差会造成电阻量测结果有0.5到1.0decade的偏差。在有偏置电压加载的情况下,一旦水凝结在测试样品表面,有可能会造成表面树枝状晶体的失效。当某些烤箱的空气循环是从后到前的时候,也可能发现水分。凝结在冷凝器窗口上的水有可能形成非常细小的水滴**终掉落在样品表面上。这样可能造成树枝状晶体的生长。这样的情况必须被排除,确保能够得到有意义的测试结果。虽然环境试验箱被要求能够提供并记录温度为65±2℃或85±2℃、相对湿度为87+3/-2%RH的环境,其相对湿度的波动时间越短越好,不允许超过5分钟。
表面电子组件的电化学迁移的发生机理取决于四个因素:铜、电压、湿度和离子种类。当环境中的湿气在电路板上形成水滴时,能够与表面上的任何离子相互作用,使离子沿着电路板表面移动。离子与铜发生反应,它们在电压的作用下,被推动着在铜电路之间迁移。这通常被总结为一系列步骤:水吸附、阳极金属溶解或离子生成、离子积累、离子迁移到阴极和金属枝晶状生长。线路板表面的每一种材料都有可能是电迁移产生的影响因素:无论是线路板材料和阻焊层、元器件的清洁度,还是制板工艺或组装工艺产生的任何残留物(包括助焊剂残留物)。由于这种失效机制是动态变化的,理想状况是对每种设计和装配都进行测试。但这是不可行的。这就提出了一个问题:如何比较好地描述一个组件的电化学迁移倾向。SIR表面绝缘电阻测试的目的之一:变更助焊剂和/或锡膏。
随着电子产品向小型化/集成化的发展,线路和层间间距越来越小,电迁移问题也日益受到关注。一旦发生电迁移会造成电子产品绝缘性能下降,甚至短路。电迁移失效同常规的过应力失效不同,它的发生需要一个时间累积,失效通常会发生在**终客户的使用过程中,可能在使用几个月后,也可能在几年后,往往会造成经济上的重大损失。但是,电迁移的发生不仅同离子有关,它需要离子,电压差,导体,传输通道,湿气以及温度等各种因素综合作用,在长期累积下产生的失效。所以,通过在样品上施加各类综合应力来评估产品后期使用的电迁移风险就显得异常重要。相对的电极还原成本来的金属并析出树枝状金属的现象(类似锡须,容易造成短路),这种现象称为离子迁移。江西pcb离子迁移绝缘电阻测试批量定制
与其它方法比较,SIR的优点是除了可侦测局部的污染之外,还可以测量离子与非离子污染物对PCB可靠性的影响。江西pcb离子迁移绝缘电阻测试批量定制
金属离子在阴极沉积过程在阴极区,阳极溶解生成的金属离子(主要为锡离子和铅离子)在电场的作用下,在电解液中迁移到阴极得到电子直接生成金属单质;或者与阴极生成的氢氧根离子相遇而生成氢氧化物的沉淀物,氢氧化物的沉淀物发生脱水分解为氧化物,氧化物继续还原为金属单质。伴随着枝晶的生长过程,阴极区还发生的反应为电解质中溶解氧气的还原反应及水的还原反应,反应方程式如下:Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O为建立可抑制电化学迁移中阴极还原沉积过程,可能的有效途径为可以在阴极表面添加不同的活性剂,使阴极沉积物由树枝状结构变为分散在阴极表面,由此可有效避免由树枝状枝晶的生长而造成的短路失效。江西pcb离子迁移绝缘电阻测试批量定制
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