浙江DDR测试调试

DDR5发送端测试随着信号速率的提升，SerDes技术开始在DDR5中采用，如会采用DFE均衡器改善接收误码率，另外DDR总线在发展过程中引入训练机制，不再是简单的要求信号间的建立保持时间，在DDR4的时始使用眼图的概念，在DDR5时代，引入抖动成分概念，从成因上区分解Rj，Dj等，对芯片或系统设计提供更具体的依据；在抖动的参数分析上，也增加了一些新的抖动定义参数，并有严苛的测量指标。针对这些要求，提供了完整的解决方案。UXR示波器，配合D9050DDRC发射机一致性软件，及高阻RC探头MX0023A，及Interposer，可以实现对DDR信号的精确表征。DDR4规范里关于信号建立；浙江DDR测试调试

实际的电源完整性是相当复杂的，其中要考虑到IC的封装、仿真信号的切换频率和PCB耗电网络。对于PCB设计来说，目标阻抗的去耦设计是相对来说比较简单的，也是比较实际的解决方案。在DDR的设计上有三类电源，它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同，详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和用的一定数量的去耦电容，可以做到电源完整性，其中去耦电容从10nF到10uF大小不同，共有10个左右。另外，表贴电容合适，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加严格的容差性，但是它承载着比较小的电流。显然，它只需要很窄的走线，且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。由于Vref相当重要，所以去耦电容的摆放尽量靠近器件的管脚。然而，对VTT的布线是具有相当大的挑战性，因为它不只要有严格的容差性，而且还有很大的瞬间电流，不过此电流的大小可以很容易的就计算出来。终，可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配。在4层板的PCB里，层之间的间距比较大，从而失去其电源层间的电容优势，所以，去耦电容的数量将增加，尤其是小于10nF的高频电容。详细的计算和仿真可以通过EDA工具来实现。校准DDR测试调试DDR4信号质量自动测试软件报告；

trombone线的时延是受到其并行走线之间的耦合而影响，一种在不需要提高其间距的情况下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth线。显然，sawtooth线比trombone线具有更好的效果。但是，依来看它需要更多的空间。由于各种可能造成时延不同的原因，所以，在实际的设计时，要借助于CAD工具进行严格的计算，从而控制走线的时延匹配。考虑到在图2中6层板上的过孔的因素，当一个地过孔靠近信号过孔放置时，则在时延方面的影响是必须要考虑的。先举个例子，在TOP层的微带线长度是150mils，BOTTOM层的微带线也是150mils，线宽都为4mils，且过孔的参数为：barreldiameter=”8mils”，paddiameter=”18mils”，anti-paddiameter=”26mils”。

DDR测试

什么是DDR？

DDR是双倍数据速率(DoubleDataRate)。DDR与普通同步动态随机内存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为节省输入管脚，采用了复用方式。地址字由行地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。同步动态随机内存（SDRDRAM)将时钟与标准DRAM结合，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和其它信号的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将内存划分成4个组进行内部单元的预充电和预获取。通过突发模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同行的数据进行读取。 DDR信号质量的测试方法、测试装置与测试设备与流程；

    对于DDR源同步操作，必然要求DQS选通信号与DQ数据信号有一定建立时间tDS和保持时间tDH要求，否则会导致接收锁存信号错误，DDR4信号速率达到了，单一比特位宽为，时序裕度也变得越来越小，传统的测量时序的方式在短时间内的采集并找到tDS/tDH差值，无法大概率体现由于ISI等确定性抖动带来的对时序恶化的贡献，也很难准确反映随机抖动Rj的影响。在DDR4的眼图分析中就要考虑这些抖动因素，基于双狄拉克模型分解抖动和噪声的随机性和确定性成分，外推出基于一定误码率下的眼图张度。JEDEC协会在规范中明确了在DDR4中测试误码率为1e-16的眼图轮廓，确保满足在Vcent周围Tdivw时间窗口和Vdivw幅度窗口范围内模板内禁入的要求。 不同种类的DDR协议测试探头；HDMI测试DDR测试市场价价格走势

DDR测试技术介绍与工具分析；浙江DDR测试调试

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DDRSDRAM即我们通常所说的DDR内存，DDR内存的发展已经经历了五代，目前DDR4已经成为市场的主流，DDR5也开始进入市场。对于DDR总线来说，我们通常说的速率是指其数据线上信号的快跳变速率。比如3200MT/s,对应的工作时钟速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情况下每根数据线上比较高传输速率，由于在DDR总线上会有读写间的状态转换时间、高阻态时间、总线刷新时间等，因此其实际的总线传输速率达不到这个理想值。

克劳德高速数字信号测试实验室

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