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一种ddr4内存信号测试方法、装置及存储介质技术领域1.本发明涉及计算机测试技术领域，尤其是指一种ddr4内存信号测试方法、装置及存储介质。背景技术：2.为保证服务器的平稳运行以及服务器ddr4内存的完好使用，测量服务器内存的信号完整性是否符合标准已经成了服务器研发过程中必不可少的重要流程。目前服务器主流都是适用ddr4内存，为了保证数据的安全性和可靠性，ddr4链路的测试对服务器存储性能评估有着至关重要的影响。3.目前服务器ddr4信号的测试无法进行正常工作状态的读写分离，只能利用主控芯片进行读写命令来进行相应读或写的测试，效率较低且不能完全反映正常工作状态下的波形，在信号完整性测试上有比较大的风险。借助协议解码软件看DDR的会出现数据有那些；安徽DDR测试维保

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DDR5的接收端容限测试

前面我们在介绍USB3.0、PCIe等高速串行总线的测试时提到过很多高速的串行总线由于接收端放置有均衡器，因此需要进行接收容限的测试以验证接收均衡器和CDR在恶劣信号下的表现。对于DDR来说，DDR4及之前的总线接收端还相对比较简单，只是做一些匹配、时延、阈值的调整。但到了DDR5时代(图5.19),由于信号速率更高，因此接收端也开始采用很多高速串行总线中使用的可变增益调整以及均衡器技术，这也使得DDR5测试中必须关注接收均衡器的影响，这是之前的DDR测试中不曾涉及的。 广西DDR测试DDR测试DDR信号的眼图模板要求那些定义；

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要注意的是，由于DDR的总线上存在内存控制器和内存颗粒两种主要芯片，所以DDR的信号质量测试理论上也应该同时涉及这两类芯片的测试。但是由于JEDEC只规定了对于内存颗粒这一侧的信号质量的要求，因此DDR的自动测试软件也只对这一侧的信号质量进行测试。对于内存控制器一侧的信号质量来说，不同控制器芯片厂商有不同的要求，目前没有统一的规范，因此其信号质量的测试还只能使用手动的方法。这时用户可以在内存控制器一侧选择测试点，并借助合适的信号读/写分离手段来进行手动测试。

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测试头设计模拟针对测试的设计（DFT）当然收人欢迎，但却不现实。因为自动测试仪的所需的测试时间与花费正比于内存芯片的存储容量。显然测试大容量的DDR芯片花费是相当可观的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重视，所以人们不断试图集结能有效控制和观察的内部节点。DFT技术，如JEDEC提出的采用并行测试模式进行多阵列同时测试。不幸的是由于过于要求芯片电路尺寸，该方案没有被采纳。DDR作为一种商品，必须比较大限度减小芯片尺寸来保持具有竞争力的价位。 DDR4规范里关于信号建立；

实际的电源完整性是相当复杂的，其中要考虑到IC的封装、仿真信号的切换频率和PCB耗电网络。对于PCB设计来说，目标阻抗的去耦设计是相对来说比较简单的，也是比较实际的解决方案。在DDR的设计上有三类电源，它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同，详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和用的一定数量的去耦电容，可以做到电源完整性，其中去耦电容从10nF到10uF大小不同，共有10个左右。另外，表贴电容合适，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加严格的容差性，但是它承载着比较小的电流。显然，它只需要很窄的走线，且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。由于Vref相当重要，所以去耦电容的摆放尽量靠近器件的管脚。然而，对VTT的布线是具有相当大的挑战性，因为它不只要有严格的容差性，而且还有很大的瞬间电流，不过此电流的大小可以很容易的就计算出来。终，可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配。在4层板的PCB里，层之间的间距比较大，从而失去其电源层间的电容优势，所以，去耦电容的数量将增加，尤其是小于10nF的高频电容。详细的计算和仿真可以通过EDA工具来实现。DDR测试眼图测试时序测试抖动测试；海南DDR测试厂家现货

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2.PCB的叠层（stackup）和阻抗对于一块受PCB层数约束的基板（如4层板）来说，其所有的信号线只能走在TOP和BOTTOM层，中间的两层，其中一层为GND平面层，而另一层为VDD平面层，Vtt和Vref在VDD平面层布线。而当使用6层来走线时，设计一种拓扑结构变得更加容易，同时由于Power层和GND层的间距变小了，从而提高了电源完整性。互联通道的另一参数阻抗，在DDR2的设计时必须是恒定连续的，单端走线的阻抗匹配电阻50Ohms必须被用到所有的单端信号上，且做到阻抗匹配，而对于差分信号，100Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端，比如CLOCK和DQS信号。另外，所有的匹配电阻必须上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的设置也必须保持在50Ohms。在DDR3的设计时，单端信号的终端匹配电阻在40和60Ohms之间可选择的被设计到ADDR/CMD/CNTRL信号线上，这已经被证明有很多的优点。而且，上拉到VTT的终端匹配电阻根据SI仿真的结果的走线阻抗，电阻值可能需要做出不同的选择，通常其电阻值在30-70Ohms之间。而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100Ohms。安徽DDR测试维保