将焊接好的电路板装进合适的塑料肥皂盒或原调速器盒中,将原分线器开关拆除不用,留出空余位置便于安装印制板电路。一般风扇用电抗器均采取5挡。不妨利用其中①、③、⑤挡,将强风(第1挡)、中风(第2挡)弱风(第3挡)分别接到电抗器的各挡中。若有的调速器中无电抗器,风扇电机则是采取抽头方式改变风速的,同样将三种风速分别接至分线器的三极引线中。在改装中特别要注意安全,印制板上220V交流电源接线端及所有导电部位应与调整器盒的金属件严格隔离。改装完毕,可用测电笔碰触调速器有否漏电。否则应进一步采取绝缘措施。通电试验时,用万用表DC10V档测C2两端电压应为5V-6V之间,若不正常,应重点检查整流稳压电路,然后再分别按动SB1-SB4开关,观察各路指示管VD1-VD8应按对应的选择功能发光或熄灭,风扇也应同步工作于不同状态。淄博正高电气公司自成立以来,一直专注于对产品的精耕细作。浙江恒压可控硅调压模块品牌
维持继电器吸合约4秒钟,故电路动作较为准确。如果将负载换为继电器,即可控制大电流工作的负载。可控硅是一种新型的半导体器件,它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点,活动导入以可控硅实际应用案例的展示,以激发学生的活动兴趣。可控硅控制电路的制作13例1:可调电压插座电路如图,可用于调温(电烙铁)、调光(灯)、调速(电机),使用时只要把用电器的插头插入插座即可,十分方便。V1为双向二极管2CTS,V2为3CTSI双向可控硅,调节RP可使插座上的电压发生变化。2:简易混合调光器根据电学原理可知,电容器接入正弦交流电路中,电压与电流的大值在相位上相差90°。根据这一原理,把C1和C2串联联接,并从中间取出该差为我所用,这比电阻与电容串联更稳定。电路中,D1和D2分别对电源的正半波及负半波进行整流,并加到A触发和C1或C2充电。进一步用W来改变触发时间进行移相,只要调整W的阻值,就可达到改变输出电压的目的。D1和D2还起限制触发极的反相电压保护双向可控硅的作用。3:可调速吸尘器这种吸尘器使用可控硅元件构成调速电路,能根据需要控制电机转速,以发迹管道吸力的大小。调速电路比较成熟,普遍使用在大功率吸尘器中。浙江双向可控硅调压模块品牌公司实力雄厚,产品质量可靠。
1.用指针式万用表电阻档测量可控硅阳极和阴极之间是否短路,一般情况下双向可控硅阳极和阴极之间的电阻在数十千欧以上,如用万用表测量时已短路或电阻已小于10千欧以下,可判断可控硅已击穿损坏。2.用万用表分别测量双向可控硅触发极与阴极之间的电阻值,一般再几欧至百十欧以内的正常,触发极与阳极之间的电阻值,一般再十千欧以上为正常。晶闸管(可控硅)要导通,必须满足以下条件:双向晶闸管导通条件:一是晶闸管(可控硅)阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备,晶闸管(可控硅)才会处于导通状态。另外,晶闸管(可控硅)一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,晶闸管(可控硅)仍然导通。双向晶闸管(可控硅)关断条件:降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于小维持电流以下。
可控硅模块操控器归于一类将可控硅作为基础,以智能数字操控电路做中心的电源功率操控电器,它的功率是很高的,没有磨损,响应速度比较快,没有机械的噪声,占地面积不是很大,一起分量也不是很大。可控硅模块操控器的特色有哪些?为您解说。①可控硅模块操控器里边集成了75度超温维护报警设备,还有三相不平衡报警。②运用国际规范的MODBUSRTU通讯作为标配,运用阻燃型ABS外壳,愈加的不易发作风险。③可控硅模块操控器里边运用,可以限流,别的还运用50和60赫兹切换设备,更具有运用多少钱。④里边运用12位AD转换器,做到了比较精细的调理。⑤可控硅模块操控器里边运用了级精细的电压传感器,可以做到过压和限压的维护,一起运用调压、调功和整流一体化的技术,还拥有恒流操控、恒压操控以及恒功率操控。可控硅模块真专家,为了您满足,咱们真的走心了。若对咱们的可控硅模块有爱好或存在疑问,欢迎您咨询,咨询电话:!淄博正高电气企业价值观:以人为本,顾客满意,沟通合作,互惠互利。
可控硅可控硅简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构。淄博正高电气以顾客为本,诚信服务为经营理念。青海可控硅调压模块批发
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可控硅保护电路如何设计可控硅的保护电路,大致可以分为两种情况:一种是在适当的地方安装保护器件,例如,R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路,检测设备的输出电压或输入电流,当输出电压或输入电流超过允许值时,借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态,从而过电压或过电流的数值。1.过流保护可控硅设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因,如整流可控硅损坏,触发电路或控制系统有故障等;其中整流桥可控硅损坏类较为严重,一般是由于可控硅因过电压而击穿,造成无正、反向阻断能力,它相当于整流桥臂发生长久性短路,使在另外两桥臂可控硅导通时,无法正常换流,因而产生线间短路引起过电流,另一类则是整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流,这类情况时有发生,因为整流桥的负载实质是逆变桥,逆变电路换流失败,就相当于整流桥负载短路。另外,如整流变压器中心点接地,当逆变负载回路接触大地时,也会发生整流桥相对地短路。2.可控硅的过压保护可控硅设备在运行过程中,会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。浙江恒压可控硅调压模块品牌
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