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FPGA管换注意事项，首先和客户确认是否可以交换以及交换原则，其次，在FPGA交换管脚期间，不允许有原理图的更改，如果原理图要更改，在导入更改之后再调整管脚，管换的一般原则如下，在调整时应严格意遵守：（1）基本原则：管脚不能调整，I/O管脚、Input管脚或者Output管脚可调整。（2）FPGA的同一BANK的供电电压相同，如果两个Bank电压不同，则I/O管脚不能交换；如果电压相同，应优先考虑在同一BANK内交换，其次在BANK间交换。（3）对于全局时钟管脚，只能在全局时钟管脚间进行调整，并与客户进行确认。（4）差分信号对要关联起来成对调整，成对调整，不能单根调整，即N和N调整，P和P调整。（5）在管脚调整以后，必须进行检查，查看交换的内容是否满足设计要求。（6）与调整管脚之前的PCB文件对比，生产交换管脚对比的表格给客户确认和修改原理图文件。高频元器件的间隔要充分。深圳设计PCB培训多少钱

PCB培训课程通常从PCB基础知识讲解开始，介绍PCB的起源、发展历程以及相关的物理原理。通过学习PCB的结构、材料以及层次设计，学员可以逐步了解不同类型的PCB及其特点，并能够根据具体需求灵活设计和选择适合的电路板。此外，PCB培训还注重培养学员的实操能力，通过实际操作各种设计软件和设备，让学员亲自设计和制作电路板。这样的实践环节不仅让学员熟悉常用的PCB设计软件，还能够培养其解决实际问题的能力。还能够培养其解决实际问题的能力。武汉正规PCB培训销售电话在正式培训结束后，提供持续的学习资源和支持。

整体布局整体布局子流程：接口模块摆放→中心芯片模块摆放→电源模块摆放→其它器件摆放◆接口模块摆放接口模块主要包括：常见接口模块、电源接口模块、射频接口模块、板间连接器模块等。（1）常见接口模块：常用外设接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信号流向将各接口模块电路靠近其所对应的接口摆放，采用“先防护后滤波”的思路摆放接口保护器件，常用接口模块参考5典型电路设计指导。（2）电源接口模块：根据信号流向依次摆放保险丝、稳压器件和滤波器件，按照附表4-8，留足够的空间以满足载流要求。高低电压区域要留有足够间距，参考附表4-8。（3）射频接口模块：靠近射频接口摆放，留出安装屏蔽罩的间距一般为2-3mm，器件离屏蔽罩间距至少0.5mm。具体摆放参考5典型电路设计指导。（5）连接器模块：驱动芯片靠近连接器放置。

工艺方面注意事项（1）质量较大、体积较大的SMD器件不要两面放置；（2）质量较大的元器件放在板的中心；（3）可调元器件的布局要方便调试（如跳线、可变电容、电位器等）；（4）电解电容、钽电容极性方向不超过2个；（5）SMD器件原点应在器件中心，布局过程中如发现异常，通知客户或封装工程师更新PCB封装。布局子流程为：模块布局→整体布局→层叠方案→规则设置→整板扇出。模块布局模块布局子流程：模块划分→主芯片放置并扇出→RLC电路放置→时钟电路放置。常见模块布局参考5典型电路设计指导。布局中应参考原理框图，根据单板的主信号流向规律安排主要元器件。

5V一般可能是电源输入，只需要在一小块区域内铺铜。且尽量粗(你问我该多粗——能多粗就多粗，越粗越好)；1.2V和1.8V是内核电源(如果直接采用线连的方式会在面临BGA器件时遇到很大困难)，布局时尽量将1.2V与1.8V分开，并让1.2V或1.8V内相连的元件布局在紧凑的区域，使用铜皮的方式连接，如图：总之，因为电源网络遍布整个PCB，如果采用走线的方式会很复杂而且会绕很远，使用铺铜皮的方法是一种很好的选择!4、邻层之间走线采用交叉方式：既可减少并行导线之间的电磁干扰又方便走线。同类型插装元器件在X或Y方向上应朝一个方向放置。武汉定制PCB培训教程

元件引脚尽量短，去耦电容引脚尽量短，去耦电容使用无引线的贴片电容。深圳设计PCB培训多少钱

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。深圳设计PCB培训多少钱