PCB培训课程通常从PCB基础知识讲解开始,介绍PCB的起源、发展历程以及相关的物理原理。通过学习PCB的结构、材料以及层次设计,学员可以逐步了解不同类型的PCB及其特点,并能够根据具体需求灵活设计和选择适合的电路板。此外,PCB培训还注重培养学员的实操能力,通过实际操作各种设计软件和设备,让学员亲自设计和制作电路板。这样的实践环节不仅让学员熟悉常用的PCB设计软件,还能够培养其解决实际问题的能力。还能够培养其解决实际问题的能力。·过重元件应设计固定支架的位置,并注意各部分平衡。武汉常规PCB培训布局
电压河水之所以能够流动,是因为有水位差;电荷之所以能够流动,是因为有电位差。电位差也就是电压。电压是形成电流的原因。在电路中,电压常用U表示。电压的单位是伏(V),也常用毫伏(mV)或者微伏(uV)做单位。1V=1000mV,1mV=1000uV。电压可以用电压表测量。测量的时候,把电压表并联在电路上,要选择电压表指针接近满偏转的量程。如果电路上的电压大小估计不出来,要先用大的量程,粗略测量后再用合适的量程。这样可以防止由于电压过大而损坏电压表。电阻电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫做电阻。电阻常用R表示。电阻的单位是欧(Ω),也常用千欧(kΩ)或者兆欧(MΩ)做单位。1kΩ=1000Ω,1MΩ=1000000Ω。导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定。湖北正规PCB培训加工·各元件布局应均匀、整齐、紧凑,尽量减小和缩短各元件之间的引线和连接。
7、晶振离芯片尽量近,且晶振下尽量不走线,铺地网络铜皮。多处使用的时钟使用树形时钟树方式布线。8、连接器上信号的排布对布线的难易程度影响较大,因此要边布线边调整原理图上的信号(但千万不能重新对元器件编号)。9、多板接插件的设计:(1)使用排线连接:上下接口一致;(2)直插座:上下接口镜像对称,如下图:10、模块连接信号的设计:(1)若2个模块放置在PCB同一面,则管教序号大接小小接大(镜像连接信号);(2)若2个模块放在PCB不同面,则管教序号小接小大接大。
印制电路板(Printedcircuitboards),又称印刷电路板,是电子元器件电气连接的提供者。印制电路板多用"PCB"来表示,而不能称其为"PCB板"。印制电路板的设计主要是版图设计;采用电路板的主要优点是减少布线和装配的差错,提高了自动化水平和生产劳动率。印制电路板按照线路板层数可分为单面板、双面板、四层板、六层板以及其他多层线路板。由于印刷电路板并非一般终端产品,因此在名称的定义上略为混乱,例如:个人电脑用的母板,称为主板,而不能直接称为电路板,虽然主机板中有电路板的存在,但是并不相同,因此评估产业时两者有关却不能说相同。再譬如:因为有集成电路零件装载在电路板上,因而新闻媒体称他为IC板,但实质上他也不等同于印刷电路板。我们通常说的印刷电路板是指裸板-即没有上元器件的电路板。设备封装:提供PCB电路板的设备封装库、封装方法和电子材料规格;
存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。PCB培训还注重培养学员的实操能力。武汉打造PCB培训教程
元器件的排列要便于调试和维修,亦即小元件周围不能放置大元件、需调试的元、器件周围要有足够的空间。武汉常规PCB培训布局
DDR的PCB布局、布线要求4、对于DDR的地址及控制信号,如果挂两片DDR颗粒时拓扑建议采用对称的Y型结构,分支端靠近信号的接收端,串联电阻靠近驱动端放置(5mm以内),并联电阻靠近接收端放置(5mm以内),布局布线要保证所有地址、控制信号拓扑结构的一致性及长度上的匹配。地址、控制、时钟线(远端分支结构)的等长范围为≤200Mil。5、对于地址、控制信号的参考差分时钟信号CK\CK#的拓扑结构,布局时串联电阻靠近驱动端放置,并联电阻靠近接收端放置,布线时要考虑差分线对内的平行布线及等长(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供电电源是2.5V,对于控制芯片及DDR芯片,为每个IO2.5V电源管脚配备退耦电容并靠近管脚放置,在允许的情况下多扇出几个孔,同时芯片配备大的储能大电容;对于1.25VVTT电源,该电源的质量要求非常高,不允许出现较大纹波,1.25V电源输出要经过充分的滤波,整个1.25V的电源通道要保持低阻抗特性,每个上拉至VTT电源的端接电阻为其配备退耦电容。武汉常规PCB培训布局