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电磁兼容问题没有照EMC（电磁兼容）规格设计的电子设备，很可能会散发出电磁能量，并且干扰附近的电器。EMC对电磁干扰（EMI），电磁场（EMF）和射频干扰（RFI）等都规定了大的限制。这项规定可以确保该电器与附近其它电器的正常运作。EMC对一项设备，散射或传导到另一设备的能量有严格的限制，并且设计时要减少对外来EMF、EMI、RFI等的磁化率。换言之，这项规定的目的就是要防止电磁能量进入或由装置散发出。这其实是一项很难解决的问题，一般大多会使用电源和地线层，或是将PCB放进金属盒子当中以解决这些问题。电源和地线层可以防止信号层受干扰，金属盒的效用也差不多。对这些问题我们就不过于深入了。电路的速度得看如何照EMC规定做了。内部的EMI，像是导体间的电流耗损，会随着频率上升而增强。如果两者之间的的电流差距过大，那么一定要拉长两者间的距离。这也告诉我们如何避免高压，以及让电路的电流消耗降到低。布线的延迟率也很重要，所以长度自然越短越好。所以布线良好的小PCB，会比大PCB更适合在高速下运作。·各功能单元电路的布局应以主要元件为中心,来围绕这个中心进行布局。武汉定制PCB培训价格大全

PCB布线通用规则在设计印制线路板时，应注意以下几点：(1)从减小辐射干扰的角度出发，应尽量选用多层板，内层分别作电源层、地线层，用以降低供电线路阻抗，抑制公共阻抗噪声，对信号线形成均匀的接地面，加大信号线和接地面间的分布电容，抑制其向空间辐射的能力。(2)电源线、地线、印制板走线对高频信号应保持低阻抗。在频率很高的情况下，电源线、地线、或印制板走线都会成为接收与发射干扰的小天线。降低这种干扰的方法除了加滤波电容外，更值得重视的是减小电源线、地线及其他印制板走线本身的高频阻抗。因此，各种印制板走线要短而粗，线条要均匀。武汉常规PCB培训走线模拟电压输入线、参考电压端要尽量远离数字电路信号线，特别是时钟。

(10)关键的线要尽量粗，并在两边加上保护地。高速线要短而直。(11)元件引脚尽量短，去耦电容引脚尽量短，去耦电容使用无引线的贴片电容。(12)对A/D类器件，数字部分与模拟部分地线宁可统一也不要交*。(13)时钟、总线、片选信号要远离I/O线和接插件。(14)模拟电压输入线、参考电压端要尽量远离数字电路信号线，特别是时钟。(15)时钟线垂直于I/O线比平行I/O线干扰小，时钟元件引脚需远离I/O电缆。(16)石英晶体下面以及对噪声敏感的器件下面不要走线。(17)弱信号电路，低频电路周围不要形成电流环路。(18)任何信号都不要形成环路，如不可避免，让环路区尽量小

在设计中，从PCB板的装配角度来看，要考虑以下参数:1)孔的直径要根据大材料条件(MMC)和小材料条件(LMC)的情况来决定。一个无支撑元器件的孔的直径应当这样选取，即从孔的MMC中减去引脚的MMC，所得的差值在0.15-0.5mm之间。而且对于带状引脚，引脚的标称对角线和无支撑孔的内径差将不超过0.5mm，并且不少于0.15mm。2)合理放置较小元器件，以使其不会被较大的元器件遮盖。3)阻焊的厚度应不大于0.05mm。4)丝网印制标识不能和任何焊盘相交。5)电路板的上半部应该与下半部一样，以达到结构对称。因为不对称的电路板可能会变弯曲。设备封装：提供PCB电路板的设备封装库、封装方法和电子材料规格；

关键信号布线（1）射频信号：优先在器件面走线并进行包地、打孔处理，线宽8Mil以上且满足阻抗要求，如下图所示。不相关的线不允许穿射频区域。SMA头部分与其它部分做隔离单点接地。（2）中频、低频信号：优先与器件走在同一面并进行包地处理，线宽≥8Mil，如下图所示。数字信号不要进入中频、低频信号布线区域。（3）时钟信号：时钟走线长度＞500Mil时必须内层布线，且距离板边＞200Mil，时钟频率≥100M时在换层处增加回流地过孔。（4）高速信号：5G以上的高速串行信号需同时在过孔处增加回流地过孔。·过重元件应设计固定支架的位置,并注意各部分平衡。湖北如何PCB培训包括哪些

对PCB 上的大面积铜箔,为防变形可设计成网格形状。武汉定制PCB培训价格大全

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。武汉定制PCB培训价格大全