存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。SDRAM 的PCB布局布线要求是什么?湖北专业PCB设计价格大全
ICT测试点添加ICT测试点添加注意事项:(1)测试点焊盘≥32mil;(2)测试点距离板边缘≥3mm;(3)相邻测试点的中心间距≥60Mil。(4)测试点边缘距离非Chip器件本体边缘≥20mil,Chip器件焊盘边缘≥10mil,其它导体边缘≥12mil。(5)整板必须有3个孔径≥2mm的非金属化定位孔,且在板子的对角线上非对称放置。(6)优先在焊接面添加ICT测试点,正面添加ICT测试点需经客户确认。(7)电源、地网络添加ICT测试点至少3个以上且均匀放置。(8)优先采用表贴焊盘测试点,其次采用通孔测试点,禁止直接将器件通孔管脚作为测试点使用。(9)优先在信号线上直接添加测试点或者用扇出的过孔作为测试点,采用Stub方式添加ICT测试点时,Stub走线长不超过150Mil。(10)2.5Ghz以上的高速信号网络禁止添加测试点。(11)测试点禁止在器件、散热片、加固件、拉手条、接插件、压接件、条形码、标签等正下方,以防止被器件或物件覆盖。(12)差分信号增加测试点,必须对称添加,即同时在差分线对的两个网络的同一个地方对称加测试点荆州哪里的PCB设计怎么样PCB设计叠层相关方案。
电气方面注意事项(1)TVS管、ESD、保险丝等保护器件靠近接口放置;(2)热敏器件远离大功率器件布局;(3)高、中、低速器件分区布局;(4)数字、模拟器件分区布局;(5)电源模块、模拟电路、时钟电路、射频电路、隔离器件布局按器件资料;(6)串联电阻靠近源端放置;串联电容靠近末端放置;并联电阻靠近末端放置;(7)退藕电容靠近芯片的电源管脚;(8)接口电路靠近接口;(9)充分考虑收发芯片距离,以便走线长度满足要求;(10)器件按原理图摆一起;(11)二极管、LED等极性与原理图应保持一致。
质量控制是PCB设计流程的重要组成部分,一般的质量控制手段包括:设计自检、设计互检、评审会议、专项检查等。原理图和结构要素图是基本的设放置顺序。放置与结构有紧密配合的元器件,如电源插座、指示灯、开关、连接器等。放置特殊元器件,如大的元器件、重的元器件、发热元器件、变压器、IC等。放置小的元器件。计要求,网络DRC检查和结构检查就是分别确认PCB设计满足原理图网表和结构要素图两项输入条件。电路板尺寸和CAD图纸要求加工尺寸是否相符合。如何解决PCB设计中电源电路放置问题?
射频、中频电路(3)射频电路的PCBLAYOUT注意事项1、在同一个屏蔽腔体内,布局时应该按RF主信号流一字布局,由于空间限制,如果在同一个屏蔽腔内,RF主信号的元器件不能采用一字布局时,可以采用L形布局,比较好不要用U字形布局,在使用U字形布局前,一定要对U形布局的输出与输入间的隔离度要做仔细分析,确保不会出问题。2、相同单元的布局要保证完全相同,例如TRX有多个接收通道和发射通道。3、布局时就要考虑RF主信号走向,和器件间的相互耦合作用。4、感性器件应防止互感,与邻近的电感垂直放置中的电感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔离开来,简单地说,就是让高功率RF发射电路远离低功率RF接收电路,或者让它们交替工作,而不是同时工作,高功率电路有时还可包括RF缓冲器和压控制振荡器(VCO)。6、确保PCB板上高功率区至少有一整块地,且没有过孔,铜皮面积越大越好。7、RF输出要远离RF输入,或者采取屏蔽隔离措施,防止输出信号串到输入端。8、敏感的模拟信号应该远离高速数字信号和RF信号。射频、中频电路的基本概念是什么?打造PCB设计价格大全
PCB设计中等长线处理方式技巧有哪些?湖北专业PCB设计价格大全
SDRAM模块SDRAM介绍:SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory(同步动态随机存储器)的简称,是使用很的一种存储器,一般应用在200MHz以下,常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指时钟频率与SDRAM控制器如CPU前端其时钟频率与CPU前端总线的系统时钟频率相同,并且内部命令的发送和数据的传输都以它为准;动态是指存储阵列需要不断刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性一次存储,而是自由指定地址进行数据的读写。为了配合SDRAM控制芯片的总线位宽,必须配合适当数量的SDRAM芯片颗粒,如32位的CPU芯片,如果用位宽16bit的SDRAM芯片就需要2片,而位宽8bit的SDRAM芯片则就需要4片。是某厂家的SDRAM芯片封装示意图,图中列出了16bit、8bit、4bit不同位宽的信号网络管脚分配情况以及信号网络说明。湖北专业PCB设计价格大全