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哪里的PCB设计原理

来源: 发布时间:2023年03月03日

关键信号布线(1)射频信号:优先在器件面走线并进行包地、打孔处理,线宽8Mil以上且满足阻抗要求,如下图所示。不相关的线不允许穿射频区域。SMA头部分与其它部分做隔离单点接地。(2)中频、低频信号:优先与器件走在同一面并进行包地处理,线宽≥8Mil,如下图所示。数字信号不要进入中频、低频信号布线区域。(3)时钟信号:时钟走线长度>500Mil时必须内层布线,且距离板边>200Mil,时钟频率≥100M时在换层处增加回流地过孔。(4)高速信号:5G以上的高速串行信号需同时在过孔处增加回流地过孔。PCB设计中PCI-E接口通用设计要求有哪些?哪里的PCB设计原理

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存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。湖北了解PCB设计销售电话PCB设计布局以及整体思路。

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电气方面注意事项(1)TVS管、ESD、保险丝等保护器件靠近接口放置;(2)热敏器件远离大功率器件布局;(3)高、中、低速器件分区布局;(4)数字、模拟器件分区布局;(5)电源模块、模拟电路、时钟电路、射频电路、隔离器件布局按器件资料;(6)串联电阻靠近源端放置;串联电容靠近末端放置;并联电阻靠近末端放置;(7)退藕电容靠近芯片的电源管脚;(8)接口电路靠近接口;(9)充分考虑收发芯片距离,以便走线长度满足要求;(10)器件按原理图摆一起;(11)二极管、LED等极性与原理图应保持一致。

射频、中频电路(1)射频电路★基本概念1、射频:是电磁波按应用划分的定义,专指具有一定波长可用于无线电通信的电磁波,射频PCB可以定义为具有频率在30MHz至6GHz范围模拟信号的PCB。2、微带线:是一种传输线类型。由平行而不相交的带状导体和接地平面构成。微带线的结构如下图中的图1所示它是由导体条带(在基片的一边)和接地板(在基片的另一边)所构成的传输线。微带线是由介质基片,接地平板和导体条带三部分组成。在微带线中,电磁能量主要是集中在介质基片中传播的,3、屏蔽罩:是无线设备中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下:当在电磁发射源和需要保护的电路之间插入一高导电性金属时,该金属会反射和吸收部分辐射电场,反射与吸收的量取决于多种不同的因素,这些因素包括辐射的频率,波长,金属本身的导电率和渗透性,以及该金属与发射源的距离。4、模块分腔的必要性:腔体内腔器件间或RF信号布线间的典型隔离度约在50-70dB,对某些敏感电路,有强烈辐射源的电路模块都要采取屏蔽或隔离措施,例如:a.接收电路前端、VCO电路的电源、环路滤波电路是敏感电路。b.发射的后级电路、功放的电路、数字信号处理电路、参考时钟和晶体振荡器是强烈的辐射源。PCB设计常用规则之Gerber参数设置。

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放置固定结构件(1)各固定器件坐标、方向、1脚位置、顶底层放置与结构图固定件完全一致,并将器件按照结构图形对应放置。(2)当有如下列情形时,需将问题描述清楚并记录到《项目设计沟通记录》中,同时邮件通知客户修改确认。结构图形与部分管脚不能完全重合;结构图形1脚标识与封装1脚焊盘指示不符;结构图形指示孔径与封装孔径不符;文字描述、标注尺寸等和结构图实际不一致;其他有疑问的地方。(3)安装孔坐标、孔径、顶底层与结构图完全一致。(4)安装孔、定位孔为NPTH且保留焊环时,焊环离孔距离8Mil以上,焊盘单边比孔大33mil(5)固定结构件放置完毕后,对器件赋予不可移动属性。(6)在孔符层进行尺寸标注,标注单位为公制(mm),精度小数点后2位,尺寸公差根据客户结构图要求。(7)工艺边或者拼版如使用V-CUT,需进行标注。(8)如设计过程中更改结构,按照结构重新绘制板框、绘制结构特殊区域和放置固定构件。客户无具体的结构要求时,应根据情况记录到《项目设计沟通记录》中。(9)子卡、母卡对插/扣设计晶振电路的布局布线要求。专业PCB设计布局

DDR与SDRAM信号的不同之处在哪?哪里的PCB设计原理

DDRII新增特性,ODT( On Die Termination),DDR匹配放在PCB电路板上,而DDRII则把匹配直接设计到DRAM芯片内部,用来改善信号品质,这使得DDRII的拓扑结构较DDR简单,布局布线也相对较容易一些。说明:ODT(On-Die Termination)即芯片内部匹配终结,可以节省PCB面积,另一方面因为数据线的串联电阻位置很难兼顾读写两个方向的要求。而在DDR2芯片提供一个ODT引脚来控制芯片内部终结电阻的开关状态。写操作时,DDR2作为接收端,ODT引脚为高电平打开芯片内部的终结电阻,读操作时,DDR2作为发送端,ODT引脚为低电平关闭芯片内部的终结电阻。ODT允许配置的阻值包括关闭、75Ω、150Ω、50Ω四种模式。ODT功能只针对DQ\DM\DQS等信号,而地址和控制仍然需要外部端接电阻。哪里的PCB设计原理

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