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整板扇出（1）对板上已处理的表层线和过孔按照规则进行相应的调整。（2）格点优先选用25Mil的，其次采用5Mil格点，过孔扇出在格点上，相同器件过孔走线采用复制方式，保证过孔上下左右对齐、常见分立器件的扇出形式（3）8MIL过孔中心间距35MIL以上，10MIL过孔中心间距40MIL以上，以免将平面层隔断；差分过孔间距一般为30Mil（或过孔边缘距为8Mil）。（4）芯片电源管脚先过电容再打过孔（5）所有电源/地管脚就近打孔，高速差分过孔附近30-50Mil内加回流地孔，模块内通过表层线直连，无法连接的打过孔处理。（6）电源输出过孔打在输出滤波电容之后，电源输入过孔扇出在输入滤波电容之前，过孔数目满足电源载流要求，过孔通流能力参照，地孔数不少于电源过孔数。屏蔽腔的设计具体步骤流程。黄石专业PCB设计走线

DDR2模块相对于DDR内存技术（有时称为DDRI），DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力；DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准，而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准；DDR采用的是TSOP封装，而DDRII采用的是FBGA封装，相对于DDR，DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽，而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDRII可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。鄂州高速PCB设计怎么样PCB设计的基础流程是什么？

 DDR模块，DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据率SDRAM”，是在SDRAM的基础上改进而来，人们习惯称为DDR，DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的数据传输速率，它允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。（1）DDRSDRAM管脚功能说明：图6-1-5-1为512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封装图和各引脚及功能简述1、CK/CK#是DDR的全局时钟，DDR的所有命令信号，地址信号都是以CK/CK#为时序参考的。2、CKE为时钟使能信号，与SDRAM不同的是，在进行读写操作时CKE要保持为高电平，当CKE由高电平变为低电平时，器件进入断电模式（所有BANK都没有时）或自刷新模式（部分BANK时），当CKE由低电平变为高电平时，器件从断电模式或自刷新模式中退出。3、CS#为片选信号，低电平有效。当CS#为高时器件内部的命令解码将不工作。同时，CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效。这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。

导入网表（1）原理图和PCB文件各自之一的设计，在原理图中生成网表，并导入到新建PCBLayout文件中，确认网表导入过程中无错误提示，确保原理图和PCB的一致性。（2）原理图和PCB文件为工程文件的，把创建的PCB文件的放到工程中，执行更新网表操作。（3）将导入网表后的PCBLayout文件中所有器件无遗漏的全部平铺放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可视范围之内。（4）为确保原理图和PCB的一致性，需与客户确认软件版本，设计时使用和客户相同软件版本。（5）不允许使用替代封装，资料不齐全时暂停设计；如必须替代封装，则替代封装在丝印字符层写上“替代”、字体大小和封装体一样。京晓科技与您分享PCB设计中布局布线的注意事项。

设计规划设计规划子流程：梳理功能要求→确认设计要求→梳理设计要求。梳理功能要求（1）逐页浏览原理图，熟悉项目类型。项目类型可分为：数字板、模拟板、数模混合板、射频板、射频数模混合板、功率电源板、背板等，依据项目类型逐页查看原理图梳理五大功能模块：输入模块、输出模块、电源模块、信号处理模块、时钟及复位模块。（2）器件认定：在单板设计中，承担信号处理功能器件，或因体积较大，直接影响布局布线的器件。如：FPGA，DSP，A/D芯片，D/A芯片，恒温晶振，时钟芯片，大体积电源芯片。确认设计要求（1）客户按照《PCBLayout业务资料及要求》表格模板，规范填写，信息无遗漏；可以协助客户梳理《PCBLayout业务资料及要求》表格，经客户确认后，则直接采纳。（2）整理出正确、完整的信号功能框图。（3）按照《PCB Layout业务资料及要求》表格确认整版电源，及各路分支的电源功耗情况，根据电源流向和电流大小，列出电流树状图，经客户确认后，予以采纳。叠层方案子流程以及规则设置。鄂州设计PCB设计走线

PCB布局设计中布线的设计技巧。黄石专业PCB设计走线

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB电路板上，而DDRII则把匹配直接设计到DRAM芯片内部，用来改善信号品质，这使得DDRII的拓扑结构较DDR简单，布局布线也相对较容易一些。说明：ODT（On-Die Termination）即芯片内部匹配终结，可以节省PCB面积，另一方面因为数据线的串联电阻位置很难兼顾读写两个方向的要求。而在DDR2芯片提供一个ODT引脚来控制芯片内部终结电阻的开关状态。写操作时，DDR2作为接收端，ODT引脚为高电平打开芯片内部的终结电阻，读操作时，DDR2作为发送端，ODT引脚为低电平关闭芯片内部的终结电阻。ODT允许配置的阻值包括关闭、75Ω、150Ω、50Ω四种模式。ODT功能只针对DQ\DM\DQS等信号，而地址和控制仍然需要外部端接电阻。黄石专业PCB设计走线

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