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有三个不同电极、阳极A、阴极K和控制极G.可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。单向可控硅有三个PN结，由外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。双向可控硅有其独特的特点：当阳极接合，阳极接合或栅极的正向电压，但没有施加电压时，它不导通，并且同时连接到阳极和栅极的正向电压反向电压时，它将被关上。一旦开启，控制电压有它的作用失去了控制，无论控制电压极性怎么没有了，不管控制电压，将保持在接通状态。关断，只有在阳极电压减小到一个临界值，或反之亦然。大多数双向可控硅引脚按t1、t2、g顺序从左到右排列(电极引脚向下，面向侧面有字符)。当施加到控制极g上的触发脉冲的大小或时间改变时，其传导电流的大小可以改变。与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发一个脉冲的极性可以改变时，其导通方向就随着不同极性的变化而改变，从而能够进行控制提供交流电系统负载。晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。四川国产晶闸管模块供应商家

4．可关断晶闸管可关断晶闸管亦称门控晶闸管。其主要特点是，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。它的容量及使用寿命均超过巨型晶体管。目前，大功率可关断晶闸管已广用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。5．光控晶闸管光控晶闸管又称光触发晶闸管，是一种光敏器件。由于其控制信号来自光的照射，没有必要再引出控制极，所以只有两个电极（阳极A和阴极K），结构与普通可控硅一样，是由四层PNPN器件构成。图2光控晶闸管符号图当在光控晶闸管的阳极加上正向电压，阴极加上负向电压时，控晶闸管可以等效成的电路。光控晶闸管的基本特性与普通晶闸管是相同的，只是它对光源的波长有一定的要求，有选择性。波长在0．8——0．9um的红外线及波长在1um左右的激光，都是光控晶闸管较为理想的光源。晶闸管的应用晶闸管是一种开关元件，具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作。它基本的用途就是可控整流，其工作过程可以控制，具有体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点。基于上述特点。贵州优势晶闸管模块厂家现货晶闸管的工作特性可以概括为∶正向阻断，触发导通，反向阻断。

图简单地给出了晶闸管开通和关断过程的电压与电流波形。图中开通过程描述的是晶闸管门极在坐标原点时刻开始受到理想阶跃触发电流触发的情况；而关断过程描述的是对已导通的晶闸管，在外电路所施加的电压在某一时刻突然由正向变为反向的情况（如图中点划线波形）。开通过程晶闸管的开通过程就是载流子不断扩散的过程。对于晶闸管的开通过程主要关注的是晶闸管的开通时间t。由于晶闸管内部的正反馈过程以及外电路电感的限制，晶闸管受到触发后，其阳极电流只能逐渐上升。从门极触发电流上升到额定值的10%开始，到阳极电流上升到稳态值的10%（对于阻性负载相当于阳极电压降到额定值的90%），这段时间称为触发延迟时间t。阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需要的时间（对于阻性负载相当于阳极电压由90%降到10%）称为上升时间t，开通时间t定义为两者之和，即t=t+t通常晶闸管的开通时间与触发脉冲的上升时间，脉冲峰值以及加在晶闸管两极之间的正向电压有关。[1]关断过程处于导通状态的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时，由于外电路电感的存在，其阳极电流在衰减时存在过渡过程。阳极电流将逐步衰减到零，并在反方向流过反向恢复电流，经过**大值I后，再反方向衰减。同时。

使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强迫关断。这就需要增加换向电路，不*使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已***用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极**大可关断电流IATM与门极**大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。

α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管（英语：Thyristor），简称晶闸管，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。**早出现与主要的一种是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为***代半导体电力电子器件的**。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，***用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。发展历史/晶闸管编辑半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项**重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为**的微电子器件，特点为小功率、集成化，作为信息的检出、传送和处理的工具；而另一类就是电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年。晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结，可以把它中间的NP分成两部分。山西国产晶闸管模块价格优惠

普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。四川国产晶闸管模块供应商家

故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸管处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig，由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高其电流放大系数a2，产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1，产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0，因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0，即使此时门极电流Ig=0，晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。特性特性曲线晶闸管的阳极电压与阳极电流的关系，称为晶闸管的伏安特性，如图所示。晶闸管的阳极与阴极间加上正向电压时，在晶闸管控制极开路(Ig=0)情况下，开始元件中有很小的电流(称为正向漏电流)流过。四川国产晶闸管模块供应商家