嘉兴易维护真空烘箱PID调节

维护保养：13、尽量控制真空泵的流量和扬程在标牌上注明的范围内，以保证真空泵在高效率点运转，才能获得大的节能效果。14、真空泵在运行过程中，轴承温度不能超过环境温度35C，高温度不得超过80C。15、如发现真空泵有异常声音应立即停车检查原因。16、真空泵要停止使用时，先关闭闸阀、压力表，然后停止电机。17、真空泵在工作一个月内，经100小时更换润滑油，以后每个500小时，换油一次。18、经常调整填料压盖，保证填料室内的滴漏情况正常（以成滴漏出为宜）。19、定期检查轴套的磨损情况，磨损较大后应及时更换。20、真空泵在寒冬季节使用时，停车后，需将泵体下部放水螺塞拧开将介质放净。防止冻裂。21、真空泵长期停用，需将泵全部拆开，擦干水分，将转动部位及结合处涂以油脂装好，妥善保管。抽完真空后，先将真空阀门关闭，然后再将真空泵电源关闭或移除。嘉兴易维护真空烘箱PID调节

烘箱结构真空烘箱能在较低温度下获得较高的干燥速率，热量利用充足，主要合用于对热敏性物料和含有容剂及需回收溶剂物料的干燥。在干燥前可进行消毒办理，干燥过程中任何不纯物无混入，本干燥器属于静态真空干燥器，故干燥物料的形成不会破坏。加热方式有：蒸汽、热水、导热油、电热。在真空条件下，溶剂沸点明显降低，箱内保持温度恒定，实现样品在较低温度下快速干燥，同时供给一个无尘、无旋涡、平和的干燥环境，还使得溶剂的蒸汽易于采集，排放或再利用。空气循环系统采纳双电机水平循环送风方式，风循环平均高效。湖州噪音小真空烘箱安全警报干燥的物品如干燥后改变为重量轻，体积小（为小颗粒状），应在工作室内抽真空口加隔阻网。

    本实用新型的目的是，提供一种保温效果好的真空烘箱，降低设备使用成本，并能高效排出水蒸汽。本实用新型采用的技术方案如下：热对流真空烘箱，包括真空箱体和密封门，真空箱体内壁设置无孔镜面不锈钢板、有孔镜面不锈钢板，这两种不锈钢板组合配对装配，无孔的靠箱体内壁，有孔的在箱体内表面，真空箱体上部和下部都设有氮气进气口。真空箱体顶部设置有孔镜面不锈钢板；无孔镜面不锈钢板与有孔镜面不锈钢板之间距为5—15mm，当部分热量辐射传到无孔不锈钢板后，热量通过有孔不锈钢板上的小孔传到箱体中，持续保持中心温度，达到降低设备功耗的目的。该实用新型与现有技术比具有以下效果：有孔镜面不锈钢板能有效地将板与板夹层中的温度通过小孔辐射到真空箱体中，并形成温度对流，减少热量损失。真空箱体顶部和下部两侧的氮气进气口，能快速将水蒸汽排挤到箱体上部，减少静置的时间，提高生产效率。使用时预先对氮气加热，可减少水珠的形成，尽量多地排出水蒸汽，提高烘干效率。

    本实用新型的工作原理：首先将不同热量需求的原料放置在相应的支撑板13上，然后将热水源与每一个进水管6以及出水管8相连通，热水同时从每一个进水管6进入到每一层对应的导流管10内，并对支撑板13上的原料进行烘干，每一个导流管10内的热水经对应的出水管8流出，并回到热水源中进行加热以便再次循环使用。本实用新型的有益效果：（1）本实用新型结构简单，操作方便，可对不同原料进行加热烘干，烘干效果好、烘干效率高、适用范围广。（2）本实用新型中每一个进水管6与上层对应导流管10之间、上下相邻两个导流管10之间、下层每一个导流管10与对应出水管8之间均采用螺纹式快速连接，操作简单，使用方便，连接牢靠，保证了其内热水的稳定流动，从而提高了烘干效率。（3）本实用新型在每一个进水管6、出水管8以及导流管10内均沿其长度方向错位竖直设有上隔板11和下隔板12，用于降低热水的流速，从而提高了烘干效果。真空箱外壳必须有效接地，以保证使用安全。

烘箱在电子行业的应用：组件，预热，烘烤，干燥，热分解，固化，退火，回流焊接。数据存储：对录音磁头以及铝制和玻璃磁盘介质磁头以及铝制和玻璃磁盘介质。光纤：黏合剂粘合与固化，Telcordia测试与预烧。半导体组装/圆片级包装：密封剂、BCB，CMOS光学和底胶固化传感器处理，芯片黏着和BGA，B阶黏着剂固化，稳定性测试，配向膜烘烤，预烧和测试，热冲击。半导体前端：磁性退火，圆片级预烧，金属薄膜退火，配向膜烘烤，光阻固化，稳定性测试。防止潮湿气体进入真空泵，造成真空泵故障。苏州防止氧化真空烘箱定制

检查真空泵管路及结合处有无松动现象。嘉兴易维护真空烘箱PID调节

    为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 嘉兴易维护真空烘箱PID调节