真空干燥箱先抽真空再升温加热的原因1)工件放入真空箱里抽真空是为了抽去工件材质中可以抽去的气体成分。如果先加热工件,气体遇热就会膨胀。由于真空箱的密封性非常好,膨胀气体所产生的巨大压力有可能使观察窗钢化玻璃爆裂。这是一个潜在的危险。按先抽真空再升温加热的程序操作,就可以避免这种危险。2)如果按先升温加热再抽真空的程序操作,加热的空气被真空泵抽出去的时候,热量必然会被带到真空泵上去,从而导致真空泵温升过高,有可能使真空泵效率下降。3)加热后的气体被导向真空压力表,真空压力表就会产生温升。如果温升超过了真空压力表规定的使用温度范围,就可能使真空压力表产生示值误差。正确的使用方法应该先抽真空再升温加热。待达到了额定温度后如发现真空度有所下降时再适当加抽一下。这样做对于延长设备的使用寿命是有利的。将物料均匀放入真空干燥箱内样品架上,推入干燥箱内;衢州双层钢化玻璃观察窗真空烘箱适用范围
COB生产流程:晶粒进料→晶粒检测→清洗PCB→点胶→粘晶粒→烘烤→打线→过境→OTP烧录→封胶→测试→QC抽检→入库。其中烘烤这一环节是很重要的一步之一,烘烤的目的是将前一道的工序中的胶烘干,使得IC在PCB上粘牢,以确保下一道工序中IC在打线过程中不会移动。不同的胶需要的烘烤时间和温度也是不一样的。缺氧胶烘烤温度90度烘烤10分钟,银胶烘烤温度120度烘烤90分钟,红胶烘烤温度120度烘烤30分钟。无尘烘箱主要应用于半导体晶圆片光刻涂胶镀膜前的基片清洗后的前烘烤(Prebaking)、涂胶后的软烘焙Softbaking),曝光、显影后的坚膜硬烘(Hardbaking)等工艺,适用半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃等材料的洁净、防氧化烘烤,亦可用于LCD、TFT、COMS、生物、医药、光学镀膜、精密元件干燥等生产工艺以及研发机构。 衢州双层钢化玻璃观察窗真空烘箱适用范围加热方式有:蒸汽、热水、导热油、电热。
真空烘箱的真空泵-维护保养1、经常检查油位位置,不符合规定时须调整使之符合要求。以真空泵运转时,油位到油标中心为准。2、经常检查油质情况,发现油变质应及时更换新油,确保真空泵工作正常。3、换油期限按实际使用条件和能否满足性能要求等情况考虑,由用户酌情决定。一般新真空泵,抽除清洁干燥的气体时,建议在工作100小时左右换油一次。待油中看不到黑色金属粉末后,以后可适当延长换油期限。4、一般情况下,真空泵工作2000小时后应进行检修,检查桷胶密封件老化程度,检查排气阀片是否开裂,清理沉淀在阀片及排气阀座上的污物。清洗整个真空泵腔内的零件,如转子、旋片、弹簧等。一般用汽油清洗,并烘干。对橡胶件类清洗后用干布擦干即可。清洗装配时应轻拿轻放小心碰伤。
高温真空烘箱主要是针对各种电子、塑胶、金属.....耐高温性能测试。用于干燥、烘烤、预热各种材料或试片。采用特殊设计之强制循环送风系统,可靠保证工作温度分布均匀度。性能特点箱体结构:整机结构为一体式;真空泵安装:真空泵安装于机器下部面板安装:控制面板安装于机台下方开门方式:单门由右至左开启;可视窗:门上带可视窗,规格W200*H250mm安装带刹车活动脚轮,可任意推动温度控制为PID数显仪表(台**松仪表EM705),单点式控温,可自动演算,PV/SV同时显示,按键设定定时器设定:1秒-9999时(可选择设定小时、分钟、秒)温到计时,时间到停止加热,同时报警提示300度高温真空烘箱技术参数型号:GT-TK-125温度范围:常温+20℃~+300℃内尺寸:500(宽)×500(深)×500(高)mm;(单箱式)外尺寸约:800(宽)×820(深)×1420(高)mm+110轮高,以实物为准内材质为:304#不锈钢板外材质为:冷轧钢板保温材质为:耐高温岩棉,保温效果好控制精度:±℃;显示精度:℃;温度过冲:≤3℃真空感应器为:压力感应;真空度使用范围:真空保压泄漏率:约;真空控制方式为,自动控制,达到上限停止,低于下限启动,循环工作300度高温真空烘箱使用说明超温保护系统:温度失控时。能够向内部充入惰性气体,特别是一些成分复杂的物品也能进行快速干燥。
橡胶配方中硫化体系的类型按照制品不同性能的要求,橡胶配方选用不同的硫化体系。通常,普通硫磺硫化体系,其硫化温度选取范围为130-160℃,具体需要根据所使用的促进剂的活性温度和制品的物理机械性能来确定。有效、半有效硫化体系,硫化温度一般掌握在160-165℃之间,过氧化物及树脂等非硫磺硫化体系,硫化温度适合选择170-180℃.3.橡胶制品的结构橡胶属于热的不良导体,受热升温较慢。对于夹织物的橡胶制品,通常硫化温度不高于140℃.而发泡橡胶,需要按照发泡剂和发泡助剂的分解温度选择适宜的硫化温度。不得放易燃、易爆、易产生腐蚀性气体的物品进行干燥。台州无尘埃破坏真空烘箱价格
加热功率比例可任意调节,革除低端控温无温度弊端。衢州双层钢化玻璃观察窗真空烘箱适用范围
为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性,通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤,在真空或干燥氮气的机台中,以150~200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分,在此温度下,晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后,晶片须经过一次烘烤,称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常,软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高,但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定,典型的软烘温度是90~100℃,时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后,为了后面的高能工艺,如离子注入和等离子体刻蚀,也须对晶片进行高温烘烤,称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于:减少驻波效应;激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 衢州双层钢化玻璃观察窗真空烘箱适用范围
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