漏源击穿电压（BVds）是衡量场效应管耐压能力的重要参数，指栅极与源极短路时，漏极与源极之间发生击穿的电压值。当工作电压超过这一数...

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踏入模拟电路的领域，MOS 管又摇身一变，成为了一位出色的 “信号放大器”。利用其独特的跨导特性，MOS 管能够将微弱的模拟信号进...

桥式整流器的 EMC 设计与干扰抑制：桥式整流器在工作过程中，由于二极管的快速导通与截止，会产生电磁干扰（EMI），包括传导干扰和...