ESD二极管的选型需建立在对中心参数的精细理解之上，击穿电压（Vbr）、钳位电压（Vc）和封装形式是三大关键指标。击穿电压应略高于...

汽车电子环境的极端性对 ESD 二极管提出了严苛要求，车规级器件需在 - 40℃~150℃的温度区间内保持稳定性能。这类 ESD ...

MOSFET的封装技术不断迭代，旨在优化散热性能、减小体积并提升集成度。常见的低热阻封装包括PowerPAK、DFN、D2PAK、...

车载信息娱乐系统的高速接口防护，依赖ESD二极管实现防护与信号质量的平衡。系统中的USB 3.0、HDMI 2.0接口数据速率高达...

在新能源汽车的低压与中压功率控制环节，MOSFET是不可或缺的关键器件，覆盖多个主要子系统。辅助电源系统中，MOSFET作为DC-...