三极管的构造，三极管有三个区域，分别被命名为发射结、基极和集电结。它的基本原理是利用半导体材料中P型和N型材料间的PN结和PNP结的特性来实现信号放大。三极管的白色瓷体上标注着三个触点，分别为发射极、...

场效应晶体管：截止区：当 UGS 小于开启电压 UGSTH时，MOS 不导通。可变电阻区：UDS 很小，I_DID 随UDS 增大而增大。恒流区：UDS 变化，I_DID 变化很小。击穿区：UDS 达...

接面电压，当二极管的P-N结处于正向偏置时，必须有相当的电压被用来贯通耗尽区，导致形成一反向的电压源，此电压源的电压就称为障壁电压，硅二极管的障壁电压约0.6V～0.7V，锗二极管的障壁电压约0.3～...

按照用途可以分为四种 ：普通功率型晶体管 高频大功率晶体管 超高频大功率晶体管 特种功率型晶体管 按制造工艺分为六种：双扩散硅双基型 （bjt） 双扩散铝双基型 （btjt） 单向晶闸管 （smcnt...

MOS管发热情况有：1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则...

实际放大电路，三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0....

电极，所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应BJT的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。除JFET以外，所...

三极管具有电流放大作用，能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，也用作无触点开关。三极管的简介，三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，是半导体基本元器件之一，...

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal...

MOSFET的作用如下：1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3....

三极管的分类：三极管的应用十分普遍，种类繁多，分类方式也多种多样。根据结构：NPN型三极管；PNP型三极管。根据功率：小功率三极管；中等功率三极管；大功率三极管。根据工作频率：低频三极管；高频三极管。...

变容二极管： 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被普遍地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。瞬态电压抑制二极管TVS： 一种固态二极管，专门用于ESD...