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新闻中心 - 深圳市南科功率半导体有限公司
  • 东莞差分对管三极管批发价格

    三极管的性质以NPN三极管为例:电流: 从基极B出来的电子和从集电极C出来的电子较终都会回到发射极E,当作注入电子。即IE=IB+IC。UBE: 当基极与发射极间电压UBE0.7V时,IB激增,但是I...

    发布时间:2024.11.14
  • 深圳键型二极管批发价格

    交流二极管(DIAC)、突波保护二极管、双向触发二极管,当施加超过规定电压(Break Over电压,VBO)的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用于电路的突波保护上。另,虽被称为二极...

    发布时间:2024.11.13
  • 东莞半导体三极管参考价

    三极管放大信号,三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 ,否则会放大失真。我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫...

    发布时间:2024.11.12
  • 中山开关二极管供应商

    二极管的正向特性,当外加正向电压时,随着电压U的逐渐增加,电流I也增加。但在开始的一段,由于外加电压很低。外电场不能克服PN结的内电场,半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层,所以这时的正向电流极小(...

    发布时间:2024.11.11
  • 惠州锗管三极管供应商

    三极管的介绍:主要参数:1 电流放大系数: ⑴直流电流放大系数; ⑵交流电流放大系数; ⑶共基极电流放大系数。2 频率特性参数: ⑴共基极截止频率fa; ⑵共发射极截止频率fb; ⑶特性频率ft; ...

    发布时间:2024.11.10
  • N沟道场效应管测量方法

    MOSFET的特性和作用:MOS管导作用,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于SiO2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源source和drain是...

    发布时间:2024.11.09
  • 佛山快恢复二极管参数

    下面对二极管伏安特性曲线加以说明:正向特性,二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小(几乎为零),这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈...

    发布时间:2024.11.08
  • 珠海半导体场效应管厂商

    N沟道耗尽型MOSFET场效应管的基本结构:a.结构:N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。b.区别:耗尽型MOS管在vGS=0时,漏——源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vG...

    发布时间:2024.11.06
  • 低频三极管加工

    如果我们在图1中,将电阻Rc换成一个灯泡,那么当基极电流为0时,集电极电流为0,灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β),三极管就饱和,相当于开关闭合,灯泡就亮了。由于...

    发布时间:2024.11.05
  • 东莞栅极场效应管现货直发

    合理的热设计余量,这个就不多说了,各个企业都有自己的降额规范,严格执行就可以了,不行就加散热器。MOSFET发热原因分析,做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有...

    发布时间:2024.11.04
  • 锗管三极管市场价格

    三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作...

    发布时间:2024.11.02
  • 东莞小功率三极管价位

    交流参数:a.交流电流放大系数β(或hFE)交流电流放大系数是指采用共发射极接法时,集电极输出电流的变化量ΔIC与基极输入电流的变化量ΔIB之比。b.截止频率fβ、fα晶体管的频率参数描述晶体管的电流...

    发布时间:2024.11.01
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