您好,欢迎访问
企业商机 - 深圳市南科功率半导体有限公司
  • 稳压二极管批发 发布时间:2024.06.17

    值得注意的是,随着电子技术的不断发展,稳压二极管和普通二极管也在不断升级和优化。新型的稳压二极管具有更高的精度和更低的功耗,能够满足更高要求的电路应用;而新型普通二极管则具有更快的响应速度和更高的可靠...

  • 中山金属场效应管定制价格 发布时间:2024.06.17

    马达控制应用马达控制应用是功率MOSFET大有用武之地的另一个应用领域。典型的半桥式控制电路采用2个MOSFET (全桥式则采用4个),但这两个MOSFET的关断时间(死区时间)相等。对于这类应用,反...

  • 广州绝缘栅场效应管尺寸 发布时间:2024.06.16

    现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外,在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管,使整机的效率、可靠较大程度上提高,故障率大幅的下降。MOS管和...

  • 中山半导体二极管加工 发布时间:2024.06.16

    恒流二极管 ( 英语 : Constant Current Diode ) (或称定电流二极管,CRD、Current Regulative Diode),被施加顺方向电压的场合,无论电压多少,可以得...

  • 芜湖三极管厂家精选 发布时间:2024.06.16

    高、低频小功率管,高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz,功率小于1W的晶体三极管。主要使用于工作频率比较高,功率不高于1W的放大电路,高频振荡电路。比如在晶体管收录机、收音机、电视机的高频电路中...

  • 马鞍山场效应管参考价 发布时间:2024.06.16

    MOS管的工作原理,在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路,如图2漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做...

  • 惠州增强型场效应管市价 发布时间:2024.06.15

    场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID, 用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压进行控制”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩...

  • 电极,所有的FET都有栅极(gate)、漏极(drain)、源极(source)三个端,分别大致对应BJT的基极(base)、集电极(collector)和发射极(emitter)。除JFET以外,所...

  • 深圳有机发光二极管制造 发布时间:2024.06.15

    晶体二极管分类如下:键型二极管,键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别...

  • 稳压二极管,稳压二极管英文名称为Zener diode,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。稳压二极管的特点就是击穿后,其两...

  • 佛山小功率三极管供应商 发布时间:2024.06.14

    三极管的参数,三极管的参数有很多,可以分成三大类:直流参数、交流参数、极限参数。直流参数:a.集电极—基极反向饱和电流Icbo集电极—基极反向饱和电流是指发射极开路时,基极和集电极之间加上规定的反向电...

  • 佛山P沟道场效应管参数 发布时间:2024.06.14

    我们经常看MOS管的PDF参数,MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,RDS(ON)也是较重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关...

  • 珠海场效应管价格 发布时间:2024.06.14

    场效应管的用途:一、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。二、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变...

  • 深圳二极管现货直发 发布时间:2024.06.14

    瞬态抑制二极管(TVS管),瞬态电压抑制二极管英文名称为Transient Voltage Suppressor,简称TVS,它是一种高效保护器件的一种二极管。当瞬态电压抑制二极的两极受到反向瞬态高能...

  • 快恢复二极管定制价格 发布时间:2024.06.13

    爱迪生效应,就是真空二极管的原型。爱迪生本人对这个发现并没有太大的兴趣,只是习惯性的注册了一个专业技术,就再也没有关注。后来经过无数科学家的努力发展了很多种类型的真空二极管,比如英国物理学家弗莱明发明...

  • MOSFET选型注意事项:MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导 通。导通...

  • 东莞双极型三极管供应 发布时间:2024.06.13

    三极管的介绍:主要参数:1 电流放大系数: ⑴直流电流放大系数; ⑵交流电流放大系数; ⑶共基极电流放大系数。2 频率特性参数: ⑴共基极截止频率fa; ⑵共发射极截止频率fb; ⑶特性频率ft; ...

  • 惠州大功率三极管制造 发布时间:2024.06.13

    三极管的构造,三极管有三个区域,分别被命名为发射结、基极和集电结。它的基本原理是利用半导体材料中P型和N型材料间的PN结和PNP结的特性来实现信号放大。三极管的白色瓷体上标注着三个触点,分别为发射极、...

  • 嘉兴达林顿三极管 发布时间:2024.06.13

    三极管的作用:代换,三极管的作用之四就是代换作用,在一定情况下与某些电子元器件相结合可代换其它器件,完成相应功能。比如:两只三极管串联可代换调光台灯中的双向触发二极管;在某些电路中,三极管可以代换8V...

  • 广州合金三极管批发价格 发布时间:2024.06.13

    三极管的构造,三极管有三个区域,分别被命名为发射结、基极和集电结。它的基本原理是利用半导体材料中P型和N型材料间的PN结和PNP结的特性来实现信号放大。三极管的白色瓷体上标注着三个触点,分别为发射极、...

  • 场效应晶体管:截止区:当 UGS 小于开启电压 UGSTH时,MOS 不导通。可变电阻区:UDS 很小,I_DID 随UDS 增大而增大。恒流区:UDS 变化,I_DID 变化很小。击穿区:UDS 达...

  • 绝缘栅场效应管注意事项 发布时间:2024.06.13

    场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal...

  • 嘉兴单极型场效应管 发布时间:2024.06.13

    场效应管注意事项:(1)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。(2...

  • 佛山锗管二极管检查方法 发布时间:2024.06.13

    接面电压,当二极管的P-N结处于正向偏置时,必须有相当的电压被用来贯通耗尽区,导致形成一反向的电压源,此电压源的电压就称为障壁电压,硅二极管的障壁电压约0.6V~0.7V,锗二极管的障壁电压约0.3~...

  • 马鞍山整流二极管 发布时间:2024.06.12

    静电放电(ESD)二极管,静电放电的英文全称为Electro-Static Discharge,简称ESD,ESD二极管是一种具有两个电极的半导体器件,当加在两极间的电压达到一定值时,在其间产生电场使...

  • 佛山led发光二极管市场价格 发布时间:2024.06.12

    稳压二极管和普通二极管结构区别,稳压二极管和普通二极管在结构上也有所不同。稳压二极管一般由三层不同类型的半导体材料组成,即P型半导体、N型半导体和Intrinsic型半导体。这种特殊结构使得稳压二极管...

  • 超频三极管厂家精选 发布时间:2024.06.12

    按照用途可以分为四种 :普通功率型晶体管 高频大功率晶体管 超高频大功率晶体管 特种功率型晶体管 按制造工艺分为六种:双扩散硅双基型 (bjt) 双扩散铝双基型 (btjt) 单向晶闸管 (smcnt...

  • 广州增强型场效应管价格 发布时间:2024.06.12

    如果GATE相对于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了,因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的,PMOS的阈值电压是负的,所以工程师们通常会去掉阈值...

  • 惠州多晶硅金场效应管行价 发布时间:2024.06.12

    效应管与三极管的各自应用特点:1.场效应管在源极金属与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大;而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,β值将减小很多。2.场效应管的噪声系数...

  • 绍兴场效应管尺寸 发布时间:2024.06.12

    MOS管发热情况有:1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则...

1 2 ... 25 26 27 28 29 30 31 32 33