(1)闭态饱和损耗由(1.101)式可知.晶体管饱和压降愈大则效率越低。理论和实验可以说明,随着频率的升高和功率加大,饱和压降将迅速增大,为了减小饱和损耗,必须选用fT高的晶体管。一般来说,对小功率管(<10W),f≥0.1fT,对于大功率管(>10W) f ≥0.01fT时才需考虑饱和压降的影响。因为这时饱和压降随频率急剧增大,在大功率时由于电流的增加饱和压降也**上升,因此D类放大器的效率在这些频率和电流下将急剧下降。(2)开关过程引起的过渡损耗。过渡损耗是由过渡瞬变过程的时间来确定,它取决于晶体管电流或电压的上升和下降时间及基极和集电极的电荷存储效应。在晶体管电流或电压上升和下降时间内,晶体管处于有源状态,要消耗一定功率。此外接通延迟时间td(由晶体管基极电容和其他电路电容的充电时间决定)和晶体管开关从饱和进入有源状态时,从基区和集电极抽出过量电荷的存储时间ts也要增大过渡损耗。延迟时间td和存储时间ts,不仅延长晶体管的开关过渡过程,而且要产生电流和电压瞬变,会使晶体管由于二次击穿或雪崩效应而损坏。反之,如果两极间未外加电压,当共振板接收到超声波时,将压迫压电晶片振动。安徽供应超声波发生器原理
如果晶体管存储时间大于接通延迟时间,两个晶体管将同时处于闭态。大的瞬间集电极电流将通过低阻通路从集电极电源到地。不仅要降低放大器的效率,而且要使器件的可靠性降低,因为在高的集一射电压下,过大的集电极电流要使器件由于二次击穿而损坏。这种瞬态的集电极电流尖峰可以用附加基一射间的电容,增大器件接通延迟时间,限止两个晶体管都处于“闭态”的时间间隔来减弱。ib的负脉冲愈大,持续时间愈长,ts愈长,td主要取决于集电极电荷的存储。随着工作频率的上升,晶体管的电荷存储效应愈***,严重时可使两管同时导通,出现危险的雪崩,使晶体管损坏。集电极电荷存储时间是随着集电极电流的增加而增大,集电极电流又随基极电流增加而增大,基极电流又随激励信号的加大而增大。因此选择开关特性好,ft高且功率满足要求的晶体管,设计比较好激励,对于提高D类功率放大器的效率是完全必要的。回路参数对p点电压有相当影响程度,图1.41为激励信号对P点波 形的影响。安徽供应超声波发生器原理使接触位塑料熔合,达到加工目的。
超声波发生器的原理:首先由信号发生器来产生一个特定频率的信号,这个信号可以是正弦信号,也可以是脉冲信号,通过超声波发生器把这个信号频率达到一定值。这个特定频率就是换能器的频率,一般在超声波设备中使用到的超声波频率为20KHz、28KHz,40KHz,60KHz。功率放大器可有多种形式,如电子管甲类放大器。甲乙类放大器。晶体管甲类或乙类放大器(均属于模拟式):晶体管开关式放大器等,功率一般从50W到3000W不等,由信号发生器产生的频率信号经过功率放大器后需经过阻抗匹配,使得输出的阻抗与换能器相符,推动换能器将电信号转换为机械振动。比较完善的超声波发生器还应有反馈环节,主要提供二个方面的反馈信号:***个是提供输出功率信号,我们知道当发生器的供电电源(电压)发生变化时.发生器的输出功率也会发生变化,这时反映在换能器上就是机械振动忽大忽小,导致清洗效果不稳定。因此需要稳定输出功率,通过功率反馈信号相应调整功率放大器,使得功率放大稳定。
我们以串联电压开关型D类功率放大器为例,如图1. 37所示,该图与图1.36实际是等效的,所不同的是图1.36中的负载Rl可看作变压器次级换能器在谐振时的纯阻反映到变压器初级的电阻。BG1与BG2为两个参数基本相同的晶体管,LC串联回路对工作频率fo谐振。假如激励信号是频率为fo的正弦波,在正半周时,BG1饱和导通,BG2截止;负半周时BG1截止,BG2饱和导通。图1.38为其电压、电流波形。当BG1饱和导通时,p点电压为电源电压vcc减去BG1的饱和压降vcs。当BG2饱和导通时,p点电压则为BG2的饱和压降vcs,两管参数基本相同,故vcs1=vcs2=vcs且Up为矩形波。超声波发生器的存放温度通常在-20°C~+60°C之间。
随着现代电子技术,特别是微处理器(uP)及信号处理器(DSP)的发展,超声波发生器的功能越来越强大,但不管如何变化,其**功能应该是如下所述的内容,只是每部分在实现时技术不同而已。超声波发生器来产生一个特定频率的信号,这个信号可以是正弦信号,也可以是脉冲信号,这个特定频率就超声波发生器是超声波换能器的频率,一般在超声波设备中使用到的超声波频率为25KHz、28KHz、35KHz、40KHz;100KHz相信使用面会逐步扩大.比较完善的超声波发生器还应有反馈环节。超声波发生器的安装方式通常有面板安装和支架安装两种。安徽供应超声波发生器原理
超声波发生器的重量通常根据不同型号而有所不同。安徽供应超声波发生器原理
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