半导体封装用注塑加工件,需达到 Class 10 级洁净标准,选用环烯烃共聚物(COC)与气相二氧化硅复合注塑。将 5% 疏水型二氧化硅(比表面积 300m²/g)混入 COC 粒子,通过真空干燥(温度 80℃,时间 24h)去除水分,再经热流道注塑(模具温度 120℃,注射压力 150MPa)成型,制得粒子析出量≤0.1 个 /ft² 的封装载体。加工时采用激光微雕技术,在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的导电路径槽,槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm,避免金属化过程中产生毛刺。成品在 150℃真空环境中放气率≤1×10⁻⁹Pa・m³/s,且通过 1000 次热循环(-40℃~125℃)测试,翘曲量≤50μm,满足高级芯片封装的高精度与低污染要求。这款绝缘件具有抗腐蚀特性,在酸碱环境中仍能保持良好绝缘性。杭州热加工件价格

医疗微创手术器械的注塑加工件,需符合 ISO 10993 生物相容性标准,选用聚醚醚酮(PEEK)与抑菌银离子复合注塑。将 0.5% 纳米银离子(粒径 50nm)均匀混入 PEEK 粒子,通过高温注塑(温度 400℃,模具温度 180℃)成型,制得抑菌率≥99% 的器械部件。加工中采用微注塑技术,在 0.3mm 薄壁结构上成型精度达 ±5μm 的齿状结构,表面经等离子体处理(功率 100W,时间 30s)后粗糙度 Ra≤0.2μm,减少组织粘连风险。成品经 1000 次高压蒸汽灭菌(134℃,20min)后,力学性能保留率≥95%,且细胞毒性评级为 0 级,满足微创手术器械的重复使用要求。杭州防腐蚀加工件ODM/OEM代工绝缘加工件的材料选用耐电弧型,减少高压下的电弧腐蚀问题。

深海探测机器人的注塑加工件需承受超高压与海水腐蚀,采用聚醚醚酮(PEEK)与二硫化钼(MoS₂)复合注塑成型。在原料中添加 15% 纳米级 MoS₂(粒径≤50nm),通过双螺杆挤出机(温度 400℃,转速 350rpm)实现均匀分散,使材料摩擦系数降至 0.15,耐海水磨损性能提升 40%。加工时运用高压注塑工艺(注射压力 220MPa),配合液氮冷却模具(-100℃)快速定型,避免厚壁件(壁厚 15mm)内部产生气孔,成品经 110MPa 水压测试(模拟 11000 米深海)保持 24 小时无渗漏,且在 3.5% 氯化钠溶液中浸泡 5000 小时后,拉伸强度保留率≥90%,满足深海机械臂关节部件的耐磨与耐压需求。
航空航天用耐极端温度绝缘加工件,采用纳米气凝胶与芳纶纤维复合体系。通过超临界干燥工艺制备密度只 0.12g/cm³ 的气凝胶毡,再与芳纶纸经热压复合(温度 220℃,压力 3MPa),使材料在 - 270℃液氮环境中收缩率≤0.3%,在 300℃高温下热导率≤0.015W/(m・K)。加工时运用激光切割技术避免气凝胶孔隙塌陷,切割边缘经硅烷偶联剂处理后,与钛合金框架的粘结强度≥18MPa。成品在近地轨道运行时,可耐受 ±150℃的昼夜温差循环 10000 次以上,且体积电阻率在极端温度下均≥10¹³Ω・cm,满足航天器电缆布线系统的绝缘与热防护需求。注塑加工件经去毛刺工艺处理,边缘光滑无披锋,保障使用安全。

半导体制造设备中的绝缘加工件,需达到 Class 100 级洁净标准,通常选用聚醚醚酮(PEEK)材料。采用激光切割工艺进行加工,切口热影响区≤50μm,避免传统机械加工产生的微尘污染,切割后表面经超纯水超声清洗(电阻率≥18MΩ・cm),粒子残留量≤0.1 个 /ft²。制成的晶圆载具绝缘件,在 150℃真空环境中放气率≤1×10⁻⁹Pa・m³/s,且摩擦系数≤0.15,防止晶圆传输过程中产生静电吸附,同时通过 1000 次插拔循环测试,接触电阻波动≤5mΩ,确保半导体生产的高可靠性。该注塑件的流道系统采用热流道设计,减少材料浪费,提高生产效率。注塑加工件ODM/OEM代工
耐温注塑件选用 PPS 材料,可在 220℃高温环境中持续工作。杭州热加工件价格
半导体晶圆传输注塑加工件采用静电耗散型 POM(聚甲醛)与碳纳米管复合注塑。添加 5% 碳纳米管(直径 10nm)通过双螺杆挤出(温度 200℃,转速 300rpm)实现均匀分散,使表面电阻稳定在 10⁶-10⁹Ω,摩擦起电量≤0.1μC。加工时运用微注塑技术,在 1mm 厚载具上成型精度 ±3μm 的 V 型槽,槽面经等离子体刻蚀(功率 150W,时间 60s)后粗糙度 Ra≤0.05μm,避免晶圆划伤。成品在 Class 10 洁净室环境中,粒子脱落量≤0.05 个 / 小时,且通过 1000 次晶圆传输循环测试,接触电阻波动≤3mΩ,满足 12 英寸晶圆的高精度、低静电传输要求。杭州热加工件价格