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nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。红外热成像领域多年，对钢铁行业红外测温应用富有经验，在钢铁冶金业方面的部分实际应用与解决方案。testo 885红外热像仪

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二、热探测器的分类热探测器一般分为测辐射热计、热电堆和热释电探测器三种类型。(1)测辐射热计这种探测器是由具有非常小热容量和大电阻温度系数的材料制成的，吸收IR后探测器的电阻会发生明显的变化，因此它们也被称为热敏电阻。常见的IR热辐射热计有以下几种类型：金属测辐射热计、半导体测辐射热计和微型室温硅测辐射热计（简称微测辐射热计），此外还有用于THz探测的测辐射热计。这些类型中，以微测辐射热计的技术**成熟、应用*****，它们在民用市场深受消费者的推崇，甚至在***市场也有一定的应用空间。氧化钒(Vox)与非晶Si是制作微测辐射热计**常用的材料。红外热像仪是如何工作的？testo 885红外热像仪

红外热像仪可以检测什么类型的物体？testo 885红外热像仪

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