苏州工业湿法刻蚀

湿法设备通常包括湿法制绒设备（Perc 工艺）、制绒设备（Topcon工艺）、湿法刻蚀设备（Perc 工艺）、RCA槽式清洗设备（Topcon工艺）、电池湿法背抛清洗设备（Topcon工艺）、湿法制绒设备（HJT工艺）、电池湿法背抛清洗设备（XBC工艺）、制绒清洗设备（XBC工艺）等；釜川生产制造的湿法设备能与多种主流工艺如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在设备结构、功能、产能和安全性等方面进行了升级。其作用是对太阳能电池用硅片进行清洗制绒处理，从而提升电池的质量和效率。光伏电池湿法制绒设备（Perc 工艺）工艺槽采用内外槽循环模式，能快速将新添加药水以及添加剂充分搅拌均匀。苏州工业湿法刻蚀

电池湿法设备HJT工艺功能是去除切割损伤层和表面脏污l使用强碱腐蚀晶体硅表面形成规则金字塔状绒面，增加硅片对太阳光的吸收，降低反射率l增加硅片表面积，进而PN结面积也相应增加。设备优势是进口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。机械手分配合理，有效避免药液交叉污染和槽体反应超时。工艺槽采用经典的内外槽的循环模式，能快速有效的将新添加药水以及添加剂充分搅拌均匀，槽内控温精度误差＜±1℃。所有与液体接触的材料均采用进口材质，避免材料杂质析出；引进半导体清洗工艺，保证硅片表面的洁净度。斜拉式慢提拉结构，有效提升脱水能力，匹配高效电池发展趋势。采用低温烘干技术，保证槽内的洁净度和温度均匀性。郑州光伏湿法清洗设备湿法制绒设备（Topcon工艺）可配套无金属化制程设备，提高设备洁净度。

晶片湿法设备常见的清洗剂主要包括以下几种：1.酸性清洗剂：酸性清洗剂主要用于去除表面的无机污染物，如金属氧化物、金属盐等。常见的酸性清洗剂有硝酸、盐酸、硫酸等。2.碱性清洗剂：碱性清洗剂主要用于去除有机污染物，如油脂、胶体等。常见的碱性清洗剂有氢氧化钠、氢氧化铵等。3.氧化剂清洗剂：氧化剂清洗剂主要用于去除有机物和无机物的氧化还原反应。常见的氧化剂清洗剂有过氧化氢、高锰酸钾等。4.表面活性剂清洗剂：表面活性剂清洗剂主要用于去除表面的有机污染物和胶体。常见的表面活性剂清洗剂有十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠等。5.氨水：氨水主要用于去除硅片表面的有机和无机污染物，具有较好的去除效果。

选择合适的清洗剂对于晶片湿法设备的正常运行和维护非常重要。以下是选择合适清洗剂的几个关键因素：1.清洗目标：首先要确定清洗的目标是什么，例如去除有机污染物、无机盐类、金属离子等。不同的清洗剂有不同的特性和适用范围，因此需要根据具体目标选择。2.材料兼容性：清洗剂与设备材料之间的兼容性是选择的关键因素之一。确保清洗剂不会对设备的材料造成腐蚀或损坏，同时要考虑清洗剂对材料的溶解性和可清洗性。3.温度和浓度要求：清洗剂的工作温度和浓度也是选择的考虑因素。不同的清洗剂在不同的温度和浓度下具有不同的清洗效果，需要根据设备的要求选择合适的参数。4.环境和安全性：选择清洗剂时还要考虑环境和安全性因素。一些清洗剂可能对环境有害，或者对操作人员有安全风险。因此，选择环境友好和安全的清洗剂是非常重要的。湿法在电镀工艺中可以用于镀金、镀银等金属表面处理。

光伏电池湿法设备是一种用于制造太阳能电池的工艺设备，其优点如下：1.高效能转化：光伏电池湿法设备采用了高效的化学反应和电化学过程，能够将太阳能光线转化为电能的效率更大化。2.成本低廉：相比于其他制造太阳能电池的工艺，光伏电池湿法设备的成本相对较低。湿法工艺使用的原材料成本较低，并且设备本身的制造和维护成本也相对较低。3.生产规模可控：光伏电池湿法设备可以根据需求进行灵活的生产规模调整。无论是小规模的生产还是大规模的工业生产，都可以通过调整设备的数量和运行参数来实现。4.环境友好：湿法工艺中使用的化学物质相对较少，且可以进行循环利用，减少了对环境的污染。与传统的制造工艺相比，光伏电池湿法设备对环境的影响更小。5.技术成熟：光伏电池湿法设备是目前太阳能电池制造领域更为成熟和广泛应用的工艺之一。其技术已经经过多年的发展和改进，具有较高的可靠性和稳定性。太阳能光伏电池湿法制绒设备（HJT工艺）增加硅片对太阳光的吸收，降低反射率。苏州大产能湿法装备

湿法在涂料和油墨工业中起着关键作用，例如颜料的分散和涂料的稀释等过程。苏州工业湿法刻蚀

电池湿法设备Topcon工艺RCA槽式清洗设备主要功能去除多晶硅沉积的正面(LPCVD)PECVD绕镀层，去除表面剩余的BSG。优势：闭环运动控制系统，保证输送机构运动平稳性。l抛光槽：上表面采用水膜保护及辊轮带液方式，完整的保护正面的同时，对背面作抛光处理。l烘干槽：采用高压风机+高效过滤器的方式，l进口PLC控制，稳步提升设备的产能。l采用机械臂慢提方式，设备满足干湿分离，匹配高效电池发展趋势l工艺槽采用经典的内外槽的循环模式，能快速有效的将新添加药水以及添加剂充分搅拌均匀，槽内控温精度误差＜±1℃l引进半导体清洗工艺，保证硅片表面的洁净度。苏州工业湿法刻蚀