广州高效HJT

HJT电池是一种新型的太阳能电池，其全称为“高效结晶硅太阳能电池”（Heterojunction with Intrinsic Thin layer）。HJT电池采用了先进的双面结晶硅技术，将p型硅和n型硅通过特殊工艺结合在一起，形成一个p-n结，从而实现了高效的电子转移和收集。同时，HJT电池还采用了超薄的内在层，使得电子和空穴在内在层中的扩散长度更短，从而提高了电池的效率。相比传统的晶体硅太阳能电池，HJT电池具有更高的转换效率、更低的温度系数和更长的使用寿命。此外，HJT电池还具有更高的光电转换效率和更低的光损失，能够在低光条件下仍然保持高效率。HJT电池的应用范围非常广阔，可以用于家庭光伏发电系统、商业光伏电站、工业用途等。随着技术的不断发展，HJT电池的成本也在逐渐降低，未来有望成为太阳能电池市场的主流产品。随着HJT技术的进一步成熟，设备国产化推进，投资成本继续降低，使HJT技术将更具有竞争力。广州高效HJT

HJT电池为对称的双面结构，主要由 N 型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO) 层和金属电极构成。其中，本征非晶硅层起到表面钝化作用，P型掺杂非晶硅层为发射层，N 型掺杂非晶硅层起到背场作用。釜川以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。 HJT装备与材料：包含制绒清洗设备、PECVD设备、PVD设备、金属化设备等。 电镀铜设备：采用金属铜完全代替银浆作为栅线电极，具备低成本、高效率等优势。南京单晶硅HJT薄膜HJT电池的制造工艺与PERC电池相似，但结构更加优化，使其具有更高的性能。

HJT电池是一种高效的太阳能电池，其储存和管理需要特别注意以下几点：1.储存温度：HJT电池的储存温度应该在-20℃至40℃之间，避免过高或过低的温度对电池产生损害。2.避免过度充电和放电：HJT电池应该避免过度充电和放电，以免影响电池寿命和性能。建议使用专业的充电器和放电器进行管理。3.防止短路：HJT电池在储存和使用过程中应该避免短路，以免电池过热或损坏。4.定期检查：定期检查HJT电池的电压和电流，以确保电池的正常工作和性能。5.储存环境：HJT电池应该储存在干燥、通风、避光的环境中，避免阳光直射和潮湿环境对电池产生损害。6.废弃处理：废弃的HJT电池应该按照相关法规进行处理，避免对环境造成污染和危害。

HJT硅太阳能电池的工艺要求与同质结晶体硅太阳能电池相比，有几个优点：与同质结形成相比，异质结形成期间的热预算减少。a-Si:H层和TCO前接触的沉积温度通常低于250℃。与传统的晶体硅太阳能电池相比，异质结的形成和沉积接触层所需的时间也更短。由于异质结硅太阳能电池的低加工温度及其对称结构，晶圆弯曲被抑制。外延生长：在晶体硅和a-Si:H钝化层之间没有尖锐的界面，而外延生长的结果是混合相的界面区域，界面缺陷态的密度增加。在a-Si:H的沉积过程中，外延生长导致异质结太阳能电池的性能恶化，特别是影响了Voc。事实证明，在a-Si:H的沉积过程中，高沉积温度（>140℃）会导致外延生长。其他沉积条件，如功率和衬底表面的性质，也对外延生长有影响，通过使用a-SiO:H合金而不是a-Si:H，可以有效抑制外延生长。HJT的清洗特点:在制绒和清洗之后的圆滑处理导致了表面均匀性的改善，减少了微观粗糙度，并提高了整个装置的性能。此外，氢气后处理被发现有利于提高a-Si:H薄膜的质量和表面钝化。CVD对比：HWCVD比PECVD有几个优点。例如，硅烷的热解避免了表面的离子轰击，而且产生的原子氢可以使表面钝化。HJT电池是一种具有发展前景的光伏技术，未来有望在新能源领域发挥更加重要的作用。

HJT电池工艺 1.清洗制绒。通过腐蚀去除表面损伤层，并且在表面进行制绒，以形成绒面结构达到陷光效果，减少反射损失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉积。通过CVD方式在正面/背面分别沉积5~10nm的本征a-Si:H，作为钝化层，然后再沉积掺杂层；3.正面/背面TCO沉积。通过PVD在钝化层上面进行TCO薄膜沉积；4.栅线电极。通过丝网印刷进行栅线电极制作；5.烘烤(退火)。通过丝网印刷进行正面栅线电极制作，然后通过低温烧结形成良好的接触；6.光注入。7.电池测试及分选。HJT电池的可靠性得到了国际标准的认可，被普遍认为是高效、可靠、环保的能源转换技术。江苏HJT制绒设备

零界高效HJT电池整线设备，可延伸至钙钛矿叠层及IBC等技术。广州高效HJT

HJT异质结（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，HJT）电池为对称的双面结构，主要由 N 型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层（包括 N 型非晶硅薄膜 n-a-Si:H、本征非晶硅薄膜 i-a-Si:H 和 P 型非晶硅薄膜 p-a-Si:H）、双面的透明导电氧化薄膜(TCO) 层和金属电极构成。其中，本征非晶硅层起到表面钝化作用，P型掺杂非晶硅层为发射层，N 型掺杂非晶硅层起到背场作用。HJT是很有潜力优势的技术，在将来HJT电池与钙钛矿技术进行复合叠层，突破转换效率30%成为可能。广州高效HJT