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上海异质结HJT无银

来源: 发布时间:2024年03月02日

制备种子层的主要作用为提升栅线与 TC+C68:C69O 层之间的导电性和附着力。由于 HJT 电 池电极接触透明导电薄膜(TCO 层),会存在电镀金属与 TCO 层之间吸附力较差的问 题,通常借鉴半导体行业的方案,在电镀金属与 TCO 层之间制备整面“种子层”、掩膜电 镀后去除掩膜蚀刻未电镀部分种子层来解决附着力的问题。釜川(无锡)智能科技有限公司,以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品,打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队,凭借技术竞争力,在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面都有独特优势;以高效加工制造、快速终端交付的能力,为客户提供整线工艺设备的交付服务。HJT电池的高效性和长寿命使其成为太阳能发电的重要选择。上海异质结HJT无银

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HJT电池转换效率高,拓展潜力大,工艺简单并且降本路线清晰,契合了光伏产业发展的规律,是有潜力的下一代电池技术。 HJT装备与材料:包含制绒清洗设备、PECVD设备、PVD设备、金属化设备等。 电镀铜设备:采用金属铜完全代替银浆作为栅线电极,具备低成本、高效率等优势。 异质结电池整线解决方案:釜川自主研发的“零界”高效异质结电池整线制造解决方案已实现设备国产化,该解决方案叠加了双面微晶、无银或低银金属化工艺,提升了太阳能电池的转换效率、良率和产能,并降低了生产成本。河南国产HJT镀膜设备釜川高效HJT电池湿法制绒设备全线采用臭氧工艺,降低了运营材料成本。

HJT整线解决方案,制绒清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和损伤层;2利用KOH腐蚀液对n型硅片进行各项异性腐蚀,将Si(100)晶面腐蚀为Si(111)晶面的四方椎体结构(“金字塔结构”),即在硅片表面形成绒面,可将硅片表面反射率降低至12.5%以下,从而产生更多的光生载流子;3形成洁净硅片表面,由于HJT电池中硅片衬底表面直接为异质结界面的一部分,避免不洁净引进的缺陷和杂质而带来的结界面处载流子的复合。碱溶液浓度较低时,单晶硅的(100)与(111)晶面的腐蚀速度差别比较明显,速度的比值被称为各向异性因子(anisotropicfactorAF);因此改变碱溶液的浓度及温度,可以有效地改变AF,使得在不同方向上的速度不同,在硅片表面形成密集分布的“金字塔”结构的减反射绒面;在制绒工序,绒面大小为主要指标,一般可通过添加剂的选择、工艺配比的变化、工艺温度及工艺时间等来进行调节控制。

HJT电池是一种新型的太阳能电池,其结构主要由三个部分组成:n型硅层、p型硅层和中间的薄膜层。n型硅层和p型硅层分别具有不同的电子掺杂浓度,形成了p-n结。当太阳光照射到电池表面时,光子会被吸收并激发出电子和空穴,电子和空穴会在p-n结处分离,形成电流。中间的薄膜层是由氢化非晶硅和微晶硅混合而成,其主要作用是增加电池的光吸收能力和电子传输效率。薄膜层的厚度通常在几十纳米到几百纳米之间。HJT电池的结构与传统的晶体硅太阳能电池相似,但其采用了更高效的电子传输方式和更高的光吸收能力,因此具有更高的转换效率和更低的成本。HJT电池的制造工艺与PERC电池相似,但结构更加优化,使其具有更高的性能。

HJT电池TCO薄膜的方法主要有两种:RPD(特指空心阴极离子镀)和PVD(特指磁控溅射镀膜);l该工艺主要是在电池正背面上沉积一层透明导电膜层,通过该层薄膜实现导电、减反射、保护非晶硅薄膜的作用,同时可以有效地增加载流子的收集;l目前常用于HJT电池TCO薄膜为In2O3系列,如ITO(锡掺杂In2O3,@PVD溅射法)、IWO(钨掺杂In2O3,@RPD方法沉积)等。HJT电池具备光电转化效率提升潜力高、更大的降成本空间。零界高效异质结电池整线解决方案,实现设备国产化,高效高产PVD DD CVD。HJT电池的技术创新不断推动着产业的发展,未来有望实现更高效、更环保的能源转换技术。广州专业HJT铜电镀产线

零界高效HJT电池整线明显提升了太阳能电池的转换效率、良率和产能,并极大降低了生产成本。上海异质结HJT无银

HJT电池生产设备,异质结电池整线解决方案,制绒清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和损伤层;2利用KOH腐蚀液对n型硅片进行各项异性腐蚀,将Si(100)晶面腐蚀为Si(111)晶面的四方椎体结构(“金字塔结构”),即在硅片表面形成绒面,可将硅片表面反射率降低至12.5%以下,从而产生更多的光生载流子;3形成洁净硅片表面,由于HJT电池中硅片衬底表面直接为异质结界面的一部分,避免不洁净引进的缺陷和杂质而带来的结界面处载流子的复合。上海异质结HJT无银