深圳泛半导体电镀铜技术路线

电镀铜的整平性是指在电镀过程中，铜离子在电解液中被还原成金属铜并沉积在基材表面时，铜层的表面平整度和厚度均匀性。整平性是电镀铜的重要性能之一，对于电子元器件、印刷电路板等高精度电子产品的制造具有重要意义。整平性的好坏直接影响到电镀铜层的质量和性能。如果电镀铜层的整平性不好，表面会出现凸起、凹陷、孔洞等缺陷，这些缺陷会影响到电镀铜层的导电性、耐腐蚀性和可焊性等性能，从而影响到整个电子产品的性能和可靠性。为了提高电镀铜的整平性，需要采取一系列措施，如优化电解液配方、控制电镀工艺参数、加强基材表面处理等。此外，还可以采用化学镀铜、真空镀铜等新型电镀技术，以提高电镀铜层的整平性和均匀性。光伏异质结电池电镀铜行业情况电镀铜的优势主要是性能提升和成本节约。深圳泛半导体电镀铜技术路线

电镀铜是一种非接触式的铜电极制备工艺，有望助力光伏电池实现完全无银化。铜电镀技术在印刷电路板PCB等行业应用成熟，亦可用于晶硅电池金属化环节，其原理是在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线，进而作为电极收集光伏效应产生的载流子。铜电镀工艺发展优势明显，较银浆丝网印刷具备更低的银浆成本、更优的导电性能、更好的塑性和高宽比，有望替代高银耗的丝网印刷技术，进一步提高电池效率和降低银浆成本，助力HJT和XBC电池降本增效和规模化发展成都光伏电镀铜后缀电镀铜设备专题研究。

铜电镀与传统丝网印刷的差异主要在TCO膜制备工序之后，前两道的工艺制绒与PVD溅射未变：传统异质结产线在TCO膜制备之后采用银浆印刷和烧结，而铜电镀则把银浆丝网印刷替换成制备铜栅线的图形化和金属化两大工序。图形化工艺：PVD（气相沉积法）设备在硅片TCO表面溅射一层100nm的铜种子层，使用石蜡或油墨印刷机（掩膜一体机）的湿膜法制作掩膜/喷涂感光胶，印刷、烘干后经过曝光机曝光处理后，将感光胶或光刻胶上的图形显影。金属化工艺：特定图形的铜沉积（电镀铜），然后使用不同的抗氧化方法进行处理（电镀锌或使用抗氧化剂制作保护层），除去之前的掩膜/感光胶，刻蚀去除多余铜种子层，避免电镀铜在种子层腐蚀过程中引入缺陷，露出原本的TCO，其后再进行表面处理，至此形成完整的铜电镀工序。整个过程使用的主要设备是电镀设备。

铜电镀工艺流程：种子层沉积—图形化—电镀—后处理，光伏电镀铜工艺流程主要包括种子层沉积、图形化、电镀及后处理四大环节，目前各环节技术路线不一，多种组合工艺方案 并行，需要综合性能、成本来选择合适的工艺路线。釜川（无锡）智能科技有限公司，以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队，凭借技术竞争力，在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面都有独特优势；以高效加工制造、快速终端交付的能力，为客户提供整线工艺设备的交付服务。电镀铜取代银浆就是把格栅的线路做的更细。

铜电镀是一种非接触式的电极金属化技术，在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线，收集光伏效应产生的 载流子。为解决电镀铜与透明导电薄膜（TCO）之间的接触与附着性问题，需先 使用 PVD 设备镀一层极薄的铜种子层（100nm），衔接前序的 TCO 和后序的电 镀铜，种子层制备后还需对其进行快速烧结处理，以进一步强化附着力。同时， 铜种子层作为后续电镀铜的势垒层，可防止铜向硅内部扩散。银浆成本高有四大降本路径，两大方向。一是减少高价低温银浆用量，例如多主 栅（MBB）、激光转印；二是减少银粉的用量，使用贱金属替代部分银粉，例 如银包铜、电镀铜。非接触式电极金属化技术——电镀铜。北京高效电镀铜

为了实现电镀铜，即金属化，首先需要在 TCO 膜之后镀一层金属（如铜）种子层。深圳泛半导体电镀铜技术路线

全新的电镀铜工艺旨在进一步针对低成本电池的需求，光伏铜电镀技术采用金属铜完全代替银浆作为栅线电极，实现整片电池的工艺转换，打破瓶颈，创新行业发展。光伏电镀铜设计的导电方式主要有弹片式导电舟方式、水平滚轮导电、模具挂架式、弹片重力夹具等方式。合理的导电方式对光伏电镀铜设备非常重要是实现可量产的关键因素之一。优良的导电方式可以实现设备的便捷维修和改善电镀铜片与片之间的电镀铜厚极差，甚至可以实现单片硅上分布电流的可监控性。        深圳泛半导体电镀铜技术路线

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