惠州硅管二极管参数

雪崩二极管，雪崩二极管的英文名称为Avalanche diode，它是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。当反向电压增大到一定数值时，PN结被反向击穿，载流子倍增就像雪崩一样，反向电流突然快速增加。雪崩二极管用于在特定反向偏置电压下经历雪崩击穿，从而阻止电流集中到某一点，通常做为安全阀使用，用于控制系统压力和保护电路系统。雪崩二极管通常在高压电路中使用，对安装的空间要求不高，因此多数是插针的封装形式，原理图、PCB封装和普通二极管相同。二极管的价格相对较低，适合大规模生产和应用。惠州硅管二极管参数

二极管特性及参数：1、二极管伏安特性，导通后分电压值约为 0.7 V（硅管）或0.3V（锗管）（LED 约为 1-2 V，电流 5-20 mA）。反向不导通，但如果达到反向击穿电压，那将导通（超过反向较大电压可能烧坏）。正向电压很小时不导通（0.5 V 以上时才导通）。2、主要参数：较大整流电流 I_FIF： 表示长期运行允许的较大正向平均电流，超出可能因结温过高烧坏。较高反向工作电压 U_RUR：允许施加的较大反向电压，超出可能击穿。（U_RUR 通常为击穿电压的一半）。反向电流 I_RIR： 未击穿时的反向电流，越小导电性越好。较高工作频率 f_MfM： 上线截止频率。因结电容作用，超出可能不能很好体现的单向导电性。惠州硅管二极管参数二极管采用PN结构，正向偏置时电子和空穴结合，反向偏置时形成势垒，导致电流很小。

对单颗LED 的驱动，此电路通过单片机I/O 口直接驱动LED。当I/O 口输出高电平时，LED 两端等电位，无电流，LED 熄灭；当I/O 口输出低电平时，电流从电源经R1、LED1、I/O 口流进单片机，LED 亮。LED 的亮度与流经它的电流大小成正比，而电流大小由R1 阻值决定。此驱动方式可称为灌电流驱动。此电路通过单片机I/O 口直接驱动LED。当I/O 口输出低电平时，LED 两端等电位，无电流，LED 熄灭；当I/O 口输出高电平时，电流从单片机I/O 经R2、LED2 流到地，LED 亮。LED 的亮度与流经它的电流大小成正比，而电流大小由R2 阻值决定。此驱动方式可称为拉电流驱动。

发光二极管，发光二极管名称名称为Light-emitting diode，简称LED。是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有普遍的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。在PN结中注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能，发光方向有正向、侧向多种。发光二级管家族THT和SMT封装的种类很多，插针的按照长正短负区分极性，贴片标有阴极线。二极管还可用于电子系统中的保护电路，防止过电压损坏其他元件。

1874年，德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的头一代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。早期的二极管还包含了真空管，真空管二极管具有两个电极 ，一个阳极和一个热式阴极。在半导体性能被发现后，二极管成为了世界上头一种半导体器件。现如今的二极管大多是使用硅来生产，锗等其它半导体材料有时也会用到。目前较常见的结构是，一个半导体性能的结芯片通过PN结连接到两个电终端。氮化镓二极管使用于高温、高频、高电压和高功率的应用场合，具有较高的工作效率。惠州硅管二极管参数

整流二极管用于将交流电信号转换为直流电信号，常用于电源和电视机等设备中。惠州硅管二极管参数

1873年，弗雷德里克·格思里（ Frederick Guthrie ）发现了热离子二极管的基本操作原理 [6] 。他发现了当白热化的接地金属接近带正电的验电器时，验电器的电会被引走；然而带负电的验电器则不会发生类似情况。这表明了电流只能向一个方向流动。1880年2月13日，托马斯·爱迪生也发现了这一规律。当时，爱迪生正在研究为什么他的碳丝灯泡的灯丝几乎总是在正极端烧断。他有一个密封了金属板的特殊玻璃外壳灯泡。利用这个装置，他证实，发光的灯丝会有一种无形的电流穿过真空与金属板连接，但只有当板被连接到正电源时才会发生。爱迪生随即发明了一种电路，他的特殊灯泡有效地取代了直流电压表中的电阻。惠州硅管二极管参数