南通二极管行价

半导体二极管的参数介绍如下：1、反向电流IR：指管子末击穿时的反向电流， 其值愈小，则管子的单向导电性愈好。由于温度增加，反向电流会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。2、正向压降VD：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。3、动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即：rd=△VD/△ID。4、极间电容CJ：二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容，在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态，其极间电容产生的影响效果也不同。二极管的反向漏电流应尽量小。南通二极管行价

光电二极管，光电二极管又称光敏二极管，英文名称为Photo-Diode，光电二极管是在反向电压作用之下工作的，在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光电二极管和发光二极管外形很像，只不过前者是被动接受光源导通电路，后者是主动发出光源，因此光电二极管的发光方向是向内的，表示是外部照时进来的光源，原理图库和发光二极管有点不同。南通二极管行价二极管的工作原理基于PN结的特性，当正向偏置时导通，反向偏置时截止。

晶体二极管分类如下：平面型二极管，在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上只选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。

发光二极管，施加正向偏置，可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的可见光二极管、紫外线二极管等。激光二极管，当LED产生的光是带宽极窄的同调光（Coherent Light）时，则称为激光二极管。光电二极管，光线射入PN结，P区空穴、N区电子大量发生，产生电压（光电效应）。借由测量此电压或电流，可作为光感应器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。隧道二极管（Tunnel Diode）、江崎二极管（Esaki Diode）、透纳二极管，由日本人江崎玲于奈于1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用，会出现在一定偏置范围内正向电压增加时流通的电流量反而减少的“负电阻”的现象。这是较能耐受核辐射的半导体二极管。二极管具有低功耗特性，可节省能源。

肖特基二极管，利用金属和半导体二者的接合面的'肖特基效应'的整流作用。由于正向的切入电压较低，导通回复时间也短，适合用于高频率的整流。一般而言漏电流较多，突波耐受度较低。也有针对此缺点做改善的品种推出。稳压二极管（Reference Diode）（常用称法：齐纳二极管），施加反向偏置，超过特定电压时发生的反向击穿电压随反向电流变化很小，具有一定的电压稳定能力。利用此性质做成的元件被用于电压基准。借由掺杂物的种类、浓度，决定击穿电压（破坏电压）。其正向偏置与一般的二极管相同。正确选择二极管型号和参数对于电路的稳定性和可靠性至关重要。南通二极管行价

二极管的反向电压应小于其击穿电压，以防止击穿现象的发生。南通二极管行价

普通二极管是由一个PN结构成的半导体器件，即将一个PN结加一两条电极引线做成管芯，并用管壳封装而成。P型区的引出线称为正极或阳极，N型区的引出线称为负极或阴极，如图1所示。普通二极管有硅管或锗管两种，它们的正向导通电压（PN结电压）差别较大，锗管为0.2～0.3V，硅管为0.6～0.7V。点接触型二极管，点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成PN结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成。金属丝为正极，半导体薄片为负极。南通二极管行价