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下面对二极管伏安特性曲线加以说明：正向特性，二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A（A′）点的电压称为死区电压或门槛电压（也称阈值电压），硅管约为0.5V，锗管约为0.1V，如图中OA（OA′）段。当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V，如图中AB（A′B′）段。二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过较大值，否则将烧坏PN结。高频二极管可以用于射频电路中，具有快速开关特性和低噪声。中山续流二极管现货直发

稳压二极管和普通二极管应用场景区别，由于稳压二极管具有稳定的电压支撑作用，因此它主要应用于需要高精度控制电压的电路中。例如，在通信设备中，稳压二极管可以确保电路中的电压稳定，从而保证通信质量；在电源设备中，稳压二极管可以稳定输出电压，保护电子设备免受电压波动的影响；在工业自动化设备中，稳压二极管可以确保设备的稳定运行，提高生产效率。而普通二极管则普遍应用于各种开关电路和整流电路中。例如，在电源电路中，普通二极管可以作为整流器使用，将交流电转换为直流电；在数字电路中，普通二极管可以作为开关元件使用，控制电流的通断；在照明电路中，普通二极管可以作为LED灯的驱动元件，实现节能降耗。绍兴半导体二极管逆向击穿时应避免超过较大额定反向电压，以免损坏器件。

在操作中，一个单独的电流通过由镍铬合金制成的高电阻灯丝（加热器），将阴极加热到红热状态（800-1000℃）后可导致它释放电子到真空。这一过程即热发射。阴极通常涂有碱土金属氧化物，如钡或锶的氧化物。因为它们具有较低的功函数，可使发射的电子数量增加。有些真空管则直接加热钨丝，钨丝则既作为加热器也是阴极本身。交流电会在负极及与其同心的阳极板之间整流，当板子带正电时，静电会从负极处吸引电子。所以电子即从阴极连通到阳极成为了电流。然而当极性反转阳极板带有负电时，阳极板不会发射电子，而阴极也并不会吸引电子，因而没有电流会产生。如此则保证了电流的单向流通，即从阴极流向阳极板。

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体（“Cat‘s Whisker” Crystals）”以及真空管（英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”）。现今较普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。齐纳二极管是一种高频器件，具有低阻抗、低电压下的快速响应。

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。二极管有正向导通和反向截止的特性，用于整流、限流、保护和变频等电路中。中山续流二极管现货直发

使用二极管时应注意极性正确，避免反向击穿和热失效现象。中山续流二极管现货直发

雪崩二极管，雪崩二极管的英文名称为Avalanche diode，它是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。当反向电压增大到一定数值时，PN结被反向击穿，载流子倍增就像雪崩一样，反向电流突然快速增加。雪崩二极管用于在特定反向偏置电压下经历雪崩击穿，从而阻止电流集中到某一点，通常做为安全阀使用，用于控制系统压力和保护电路系统。雪崩二极管通常在高压电路中使用，对安装的空间要求不高，因此多数是插针的封装形式，原理图、PCB封装和普通二极管相同。中山续流二极管现货直发