无锡键型二极管

触发二极管，触发二极管又称双向触发二极管，英文名称为Diode AC switch,简写为DIAC，触发二极管实际上是一种电压控制元件，一般的它们都有一个触发电压，当两端电压低于这个触发电压的时候，二极管是开路状态，当电压达到触发电压的时候，二极管瞬间导通，将电压输出。双向二极管的正反两个方向都有稳压作用，就如同两个稳压二极管反向串连，它的两端不论正反哪个反向达到了稳定电压（既其中一个稳压极管）的反向击穿电压都可以使得其两端的电压基本保持不变（在其允许的电流范围内），因此正常情况下触发二极管是双向都不导通的。触发二极管的引脚没有正负极性的区分，原理图的种类比较多，一般都是两个二极管集成在一起的，触发二极管的原理图和PCB库如下图所示。二极管在逆向电压下要避免击穿，以防损坏器件。无锡键型二极管

工作原理：晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。无锡键型二极管二极管的失效可能导致电路功能异常，需要定期检测和更换。

晶体二极管分类如下：1、台面型二极管，PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。2、合金扩散型二极管，它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。

在电子工程领域，二极管作为基础的电子元件，其种类繁多，功能各异。其中，稳压二极管和普通二极管因其独特的特性和应用场景而备受关注。本文将详细比较稳压二极管与普通二极管的不同之处，以便读者更好地理解和应用这两种元件。功能区别，稳压二极管，也被称为齐纳二极管，其主要功能是维持电路中的稳定电压值。它利用PN结反向击穿状态，在电流可在很大范围内变化时保持电压基本不变，从而实现稳压功能。这种特性使得稳压二极管在电路中起到了关键的稳定作用，为电子设备提供了可靠的电压支撑。相比之下，普通二极管则主要作为一个开关器件或整流器使用。在正向电压下，普通二极管导通，允许电流通过；而在反向电压下，则截止，阻止电流通过。这种单向导电性使得普通二极管在开关电路和整流电路中发挥着重要作用。二极管是一种半导体器件，具有导通方向和截止方向的特性。

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿，另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。二极管具有低功耗特性，可节省能源。无锡键型二极管

二极管在保护电路中扮演着重要角色，能有效防止电路过压或过流。无锡键型二极管

面接触式二极管。面接触式PN结二极管是由一块半导体晶体制成的。不同的掺杂工艺可以使同一个半导体（如本征硅）的一端成为一个包含负极性载流子（电子）的区域，称作N型半导体；另一端成为一个包含正极性载流子（空穴）的区域，称作P型半导体。两种材料在一起时，电子会从N型一侧流向P型一侧。这一区域电子和空穴相互抵销，造成中间区域载流子不足，形成“耗尽层”。在耗尽层内部存在“内电场”：N型侧带正电，P型侧带负电。两块区域的交界处为PN结，晶体允许电子（外部来看）从N型半导体一端，流向P型半导体一端，但是不能反向流动。无锡键型二极管