南京高频三极管规格

三极管一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极B上加一个微小的电流时，在集电极C上可以得到一个是基极电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。电流控制：NPN型三极管： 用基极B流向发射极E的电流IB，控制集电极C流向发射极E的电流IC。发射极E电位较低，正常放大时通常VC>VB>VE。PNP型三极管： 用发射极E流向基极B的电流IB，控制发射极E流向集电极C的电流IC。发射极E电位较高，正常放大时通常VC。三极管的正偏和反偏都是根据三极管的PN结来区分的，如果PN电压为正，则正偏，反之反偏。在使用三极管时，需要正确连接其基极、发射极和集电极，以确保其正常工作。南京高频三极管规格

电流放大原理，下面的分析只对于NPN型硅三极管.我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic.这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向.三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百).如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射 极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化.如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化.我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。徐州低频三极管现货直发三极管的优势在于其体积小、重量轻，且能够方便地集成到电路中，实现电子设备的微型化。

三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母B表示——B取自英文Base，基本的、基础的)，其他的两个电极分别称为集电极(用字母C表示——C取自英文Collector，收集)和发射极(用字母E表示—— E取自英文Emitter，发射)。基区和发射区之间的结成为发射结，基区和集电区之间的结成为集电结。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。三极管是一种半导体器件，主要用于放大、开关、稳压和振荡等电子电路中。

三极管放大作用，集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。三极管作为基本器件发挥着不可替代的作用，推动了电子技术的发展。无锡光敏三极管厂家直销

三极管还可以用于设计振荡器、稳压器、电压比较器和电源调节器等电路。南京高频三极管规格

交流参数：a.交流电流放大系数β（或hFE）交流电流放大系数是指采用共发射极接法时，集电极输出电流的变化量ΔIC与基极输入电流的变化量ΔIB之比。b.截止频率fβ、fα晶体管的频率参数描述晶体管的电流放大系数对高频信号的适应能力。根据fβ的定义，所谓共射截止频率，并非说明此时晶体管已经完全失去放大作用，而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3dB。c.特征频率因为信号频率ƒ上升时，晶体管的β就下降，当β下降到1时，所对应的信号频率称为共发射极特征频率，是表征晶体管高频特性的重要参数。南京高频三极管规格