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铜陵平面三极管

来源: 发布时间:2024年05月28日

三极管放大作用,集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式U=R*I可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。三极管的应用可以根据不同类型、封装和参数进行选择,需根据具体要求进行。铜陵平面三极管

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三极管的作用:扩流。把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合,就可得到一只大功率可控硅,其较大输出电流由大功率三极管的特性决定,见附图9(a)。图9(b)为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用,将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样,可浮置工作,适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点,但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安,因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图9(c)可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展,稳定性能可得到较大的改善。高频三极管现货直发对三极管的性能有定影响,需考虑温度漂移。

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三极管的介绍:主要参数:1 电流放大系数: ⑴直流电流放大系数; ⑵交流电流放大系数; ⑶共基极电流放大系数。2 频率特性参数: ⑴共基极截止频率fa; ⑵共发射极截止频率fb; ⑶特性频率ft; ⑷较高振荡频率fm;3 极间反向电流: ⑴集电极-基极反向截止电流ICEO; ⑵集电极-发射极反向截止电流ICBO;4 极限参数: ⑴集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO(BVCEO); ⑵集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO(BVCBO); ⑶发射极-基极反向击穿电压V(BR)EBO(BVEBO);⑷集电极较大允许电流ICM; ⑸集电极较大允许耗散功率PCM。

三极管分为NPN和PNP两种类型,示意图如下所示:以下都以NPN型三极管为例说明三极管原理。三极管发射区的参杂浓度非常高,有非常多的载流子——自由电子,集电区的参杂浓度低一些,但是面积非常大,基区的厚度非常薄,厚度只有几十微米。由于电子的扩散运动以及漂移运动,PN结形成内部电场,由于三极管是NPN结构,因此内部有两个PN结,集电区和基区形成集电结,发射区和基区形成发射结,形成两个内部电场:对三极管有一些了解的朋友都知道,要想三极管工作在放大区,必须集电结反向偏置,发射结正向偏置,只有这样才能使三极管导通。三极管使用寿命受温度、工作状态和频率等因素影响,需谨慎使用和保养。

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晶体三极管的种类:硅管和锗管(按半导体材料分),锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时,发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低,前者为0.2~0.3V,后者为0.6~0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2~0.3V的电压,晶体管就开始工作。常用型号有:3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。在电路中,三极管常被用作信号放大器,能够有效增强信号的强度,提高设备的性能。中山NPN三极管厂商

三极管是一种半导体器件,包括晶体管和双极型三极管。铜陵平面三极管

三极管的3种状态:三极管有三种状态:截止状态、放大状态和饱和状态。我们可以把三极管想象成一个水管。①截止状态,首先,当我们没有对水龙头施加任何外力时,水龙头是关闭的,水流无法通过,这时的状态相当于三极管的截止状态。具体来说,就是加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。②放大状态,当三极管发射结正偏,集电结反偏时,三极管就会进入放大状态。即当我们逐渐打开水龙头时,水会开始流出,这就相当于三极管进入了放大状态。这里需要注意的是,这个“放大”并不是无中生有地创造能量,而是通过控制电流的大小来实现信号的放大。③饱和状态,当三极管发射结正偏,集电结正偏时,三极管工作在饱和状态。饱和状态下的三极管基极电流即使变大,集电极电流也不会增大,相当于水龙头完全打开时,水流已经较大。铜陵平面三极管

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