佛山点接触型二极管规格

接面电压，当二极管的P-N结处于正向偏置时，必须有相当的电压被用来贯通耗尽区，导致形成一反向的电压源，此电压源的电压就称为障壁电压，硅二极管的障壁电压约0.6V～0.7V，锗二极管的障壁电压约0.3～0.4V。种类：依照材料及发展年代分类：二极真空管；锗二极管；硒二极管；硅二极管；砷化镓二极管。依照应用及特性分类：PN结二极管（PN Diode），施加正向偏置，利用半导体中PN接合的整流性质，是较基本的半导体二极管，常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN结的条目。齐纳二极管是一种高频器件，具有低阻抗、低电压下的快速响应。佛山点接触型二极管规格

什么叫二极管？二极管分为哪几种？二极管的主要参数有哪些？二极管基础概念，二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管。佛山二极管批发价格二极管工作在导通和截止状态时呈现不同的电阻特性。

二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特别注意不要超过较大整流电流和较高反向工作电压，否则将容易损坏管子。用数字表示同类型器件的不同型号用字母表示器件的类型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge.B表示P型Ge，C表示N型Si，D表示P型Si 2表示二极管，3表示三极管。普通二极管（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

二极管的伏安特性，外加电压P->N，大于势垒电压，二极管导通；外加电压N->P，大于反向击穿电压，二极管击穿。二极管的相关应用：1整流，整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。（1）半波整流电路；（2）全波整流电路。需要特别指出的是，二极管作为整流元件,要根据不同的整流方式和负载大小加以选择。如选择不当,则或者不能安全工作,甚至烧了管子;或者大材小用,造成浪费。二极管于PN结的半导体材构成，通过控制电场分布实现流的单向导通。

在较初被发明的那个年代，二极管通常被称作“整流器”。在1919年四极管被人发明后，威廉·亨利·埃克尔斯创造了术语 Diode ，是从希腊语词根（ δί ，di，“二”）和（ ὁδός ，ode，“路径”）两者结合而来的。尽管二极管基本都有着“整流”作用，但是现在“整流器”一词通常在特定情况下才会被使用。如电源供应所需要的“半波整流”或“全波整流”设备；或者是阴极射线管所需的高压电续流二极管。热离子二极管，一个热离子二极管就是一个真空管（也称“电子管”），由一个包含着两个电极的密封真空玻璃壳组成：由灯丝加热的阴极，和一个阳极。早期产品的外观和现在的白炽灯泡相当类似。使用二极管时应注意极性正确，避免反向击穿和热失效现象。中山键型二极管生产厂家

二极管使用过程中应避免受潮、受震动和受高温影响，以延长其使用寿命。佛山点接触型二极管规格

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。佛山点接触型二极管规格

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