抗微震温湿度模拟柜

激光干涉仪用于测量微小位移，精度可达纳米级别。温度波动哪怕只有 1℃，由于仪器主体与测量目标所处环境温度不一致，二者热胀冷缩程度不同，会造成测量基线的微妙变化，导致测量位移结果出现偏差，在高精度机械加工零件的尺寸检测中，这种偏差可能使零件被误判为不合格品，增加生产成本。高湿度环境下，水汽会干扰激光的传播路径，使激光发生散射，降低干涉条纹的对比度，影响测量人员对条纹移动的精确判断，进而无法准确获取位移数据，给精密制造、航空航天等领域的科研与生产带来极大困扰。针对一些局部温度波动精度要求比较高的区域，可以采用局部气浴的控制方式，对局部进行高精密温控。抗微震温湿度模拟柜

在半导体芯片制造这一复杂且精细的领域，从芯片光刻、蚀刻到沉积、封装等每一步，都对环境条件有着近乎严苛的要求，而精密环控柜凭借其性能成为保障生产的关键要素。芯片光刻环节，光刻机对环境稳定性要求极高。哪怕 0.002℃的温度波动，都可能使光刻机内部的精密光学元件因热胀冷缩产生细微形变，导致光路偏差，使光刻图案精度受损。精密环控柜凭借超高精度温度控制，将温度波动控制在极小范围，确保光刻机高精度运行，让芯片光刻图案正常呈现。定制温湿度实验箱制冷单元内部采用高效隔音材质，进一步降低设备噪音，噪音<45dB。

刻蚀的目的在于去除硅片上不需要的材料，从而雕琢出精细的电路结构。在这一精细操作过程中，温度的波动都会如同“蝴蝶效应”般，干扰刻蚀速率的均匀性。当温度不稳定时，硅片不同部位在相同时间内所经历的刻蚀程度将参差不齐，有的地方刻蚀过度，有的地方刻蚀不足，直接破坏芯片的电路完整性，严重影响芯片性能。湿度方面，一旦出现不稳定状况，刻蚀环境中的水汽会与刻蚀气体发生复杂的化学反应，生成一些难以预料的杂质。这些杂质可能会附着在芯片表面，或是嵌入刚刚刻蚀形成的微观电路结构中，给芯片质量埋下深深的隐患，后续即便经过多道清洗工序，也难以彻底根除这些隐患带来的负面影响。

我司自主研发的高精密控温技术，控制输出精度达 0.1%，能精细掌控温度变化。温度波动控制可选 ±0.1℃、±0.05℃、±0.01℃、±0.005℃、±0.002℃等多档，满足严苛温度需求。该系统洁净度表现优异，可达百级、十级、一级。关键区域静态温度稳定性 ±5mK，内部温度均匀性小于 16mK/m，为芯片研发等敏感项目营造理想温场，保障实验数据不受温度干扰。湿度方面，8 小时内稳定性可达 ±0.5%；压力稳定性为 +/-3Pa，设备还能连续稳定工作 144 小时，助力长时间实验与制造。在洁净度上，工作区洁净度优于 ISO class3，既确保实验结果准确可靠，又保障精密仪器正常工作与使用寿命，推动科研与生产进步。精密环境控制设备内部温度规格设定为 22.0 °C 且可灵活调节，以满足不同控温需求。

在精密模具制造这一精益求精的领域，温湿度控制是保障产品质量的关键要素。模具型腔对精度有着严苛要求，这就决定了整个加工过程必须维持高度稳定。一旦温度出现波动，模具钢材料会因热胀冷缩而发生细微形变，直接影响型腔尺寸精度。这在注塑成型环节影响尤甚，极有可能导致塑料制品出现尺寸偏差、飞边等明显缺陷。而当湿度异常时，潮湿空气就像隐藏的 “破坏者”，悄无声息地侵蚀模具表面，致使模具生锈、腐蚀。这不仅大幅降低模具的使用寿命，还会增加生产成本，对模具在汽车、家电等众多行业的应用效果产生负面影响，阻碍相关产业的高质量发展。高精密温湿度控制设备内部湿度稳定性可达±0.5%@8h。光刻机高精度温湿度系统

磁屏蔽部分，可通过被动防磁和主动消磁器进行磁场控制。抗微震温湿度模拟柜

质谱仪在半导体和电子芯片制造中承担着对材料成分、杂质含量等进行高精度分析的重任。其工作原理基于对离子的精确检测与分析，而环境中的微小干扰都可能影响离子的产生、传输与检测过程。例如，空气中的尘埃颗粒可能吸附在离子源或检测器表面，导致检测信号失真；温湿度的波动可能改变仪器内部电场、磁场的分布，影响离子的飞行轨迹与检测精度。精密环控柜通过高效的空气过滤系统，实现超高水准的洁净度控制，确保质谱仪工作环境无尘、无杂质。同时，凭借高超的温湿度控制能力，将温度波动控制在极小范围，维持湿度稳定，为质谱仪提供稳定的工作环境，保证其对半导体材料的分析结果准确可靠。在半导体产业不断追求更高集成度、更小芯片尺寸的发展趋势下，精密环控柜的环境保障作用愈发关键，助力质谱仪为半导体材料研发、芯片制造工艺优化等提供有力的数据支撑，推动半导体产业的持续创新与发展。抗微震温湿度模拟柜