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云南集成北斗芯片

来源: 发布时间:2025年10月28日

本北斗芯片为了实现低功耗高速计算的采用28nmCMOS工艺。‌28nmCMOS工艺的特点主要包括高性能、低功耗和成本效益‌。通过使用28nm工艺,芯片能够在更小的面积内集成更多的功能单元,从而提供更高的处理速度和更好的功能性。由于晶体管间的距离缩短,电子在晶体管之间移动的距离也相应减少,进一步提高了运算速度‌。此外,28nm工艺通过减小晶体管尺寸,有效减少了每次运算所需的能量,不仅提高了芯片的能效,还大幅延长了设备的电池使用时间‌。在具体技术细节方面,28nm工艺引入了High-K材料和GateLast处理技术,这些技术改进有助于控制芯片的发热和功耗。High-K材料提升了栅氧层的电子容纳能力,有效降低了体系的静态和动态功耗,使得芯片在高性能计算和移动设备中表现出色。此外,28nm工艺还引入了TSMC的28nmHKMG(高介电金属栅极)工艺,进一步减小了节点尺寸和亚阀电压,提升了芯片的可制造性并控制了发热和功耗‌。‌应用领域‌方面,28nmCMOS工艺广泛应用于智能手机、平板电脑、个人电脑、服务器以及各类嵌入式系统等电子产品中。特别是在对性能要求较高且对功耗有一定限制的领域,如移动设备和高性能计算领域,28nmCMOS工艺发挥着重要作用‌。专业的售后团队,确保客户在使用知码芯北斗芯片时无后顾之忧。云南集成北斗芯片

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此款北斗芯片新增星基功能:定位精度再升级,厘米级需求轻松满足在测绘勘探、精细农业、自动驾驶等领域,“厘米级定位”是主要需求,但传统定位芯片受大气延迟、多路径效应等因素影响,精度往往局限在米级,难以满足高要求场景。此次升级,芯片新增星基增强功能,通过接收来自地球同步轨道卫星的增强信号,对原始定位数据进行实时校正,大幅抵消外界干扰因素,将定位精度从米级提升至厘米级。星基功能的价值,在实际应用中可直观体现:在精细农业领域,搭载该芯片的农业无人机可实现厘米级航线规划,精细喷洒农药、播种,避免资源浪费;在自动驾驶场景中,星基增强能实时校正车辆定位偏差,确保车辆在复杂路况下的行驶安全;在测绘工程中,无需依赖地面基准站,芯片即可通过星基信号实现厘米级测绘数据采集,降低野外作业的设备成本与时间成本。对于追求“极限精细”的行业而言,星基功能的加入,让芯片从“实用型”升级为“专业级”。云南集成北斗芯片知码芯北斗芯片采用RISC-V 结构,融合 ARM 与 MIPS 优势,让性能与效率兼得​。

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本司北斗芯片新增25Hz位置刷新:动态定位更流畅,高速场景稳如磐石在高速运动场景(如赛车定位、无人机竞速、高铁导航)中,定位数据的刷新速度直接影响终端设备的动态响应能力——刷新频率越低,定位数据越容易滞后,导致设备“跟不上”运动轨迹。此前,多数定位芯片的位置刷新频率在1-10Hz,难以满足高速动态场景的需求。此次升级,芯片新增较大25Hz的位置刷新频率,意味着每秒可更新25次定位数据,动态定位流畅度实现质的提升。在赛车运动中,25Hz的刷新频率能实时捕捉车辆的每一个转向、加速动作,为赛事直播、数据复盘提供准确轨迹;在无人机高速飞行场景中,高频刷新可确保无人机及时响应操控指令,避免因定位滞后导致的碰撞风险;在高铁、船舶等高速移动载体上,25Hz的定位数据能让导航系统实时更新位置,为乘客提供更准确的行程播报,也为载体调度提供更及时的动态数据支持。

知码芯芯片:高性价比的王炸之选。

竞争激烈的芯片市场中,成本优势往往是决定产品市场竞争力的关键因素之一,而知码芯北斗芯片采用的 28nm CMOS 工艺,在降低成本方面同样有着出色的表现。从工艺技术本身来看,28nm CMOS 工艺的成熟度较高,其制造流程相对简化。随着半导体制造技术的不断发展,各大芯片制造厂商在 28nm CMOS 工艺上已经积累了丰富的经验,这使得该工艺在生产过程中的良品率大幅提高。良品率的提升意味着在相同的生产投入下,可以获得更多符合质量标准的芯片,从而分摊了单位芯片的生产成本。28nm CMOS 工艺采用了先进的光刻技术,如深紫外光刻(DUV),能够在保证光刻精度的前提下,提高光刻速度。与更先进的极紫外光刻(EUV)技术相比,DUV 技术虽然在分辨率上稍逊一筹,但设备成本和使用成本都相对较低,这使得采用 28nm CMOS 工艺制造芯片时,光刻环节的成本得到了有效控制。在生产效率方面,28nm CMOS 工艺的生产线设备也在不断升级和优化。这些设备具有更高的自动化程度和稳定性,能够实现连续、高效的生产。从材料成本角度来看,28nm CMOS 工艺所使用的半导体材料和其他辅助材料,在市场上的供应相对充足,价格也较为稳定。 高动态场景定位新标准!这款北斗芯片采用248 通道 + 多星座兼容,刷新定位效率。

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PAMiD、DiFEM 等复杂射频模组,对金属层的电流承载能力、散热性能有极高要求 —— 传统工艺的金属层厚度通常在 1-2μm,难以满足大电流下的低阻抗需求,导致模组功率效率低、发热严重,且多依赖外部厂商代工,成本高、交付周期长。知码芯北斗芯片采用异质异构方案的一大创新,在于自主掌控金属层增厚工艺,实现设计与工艺的深度协同,攻克复杂模组自研自产难题:突破行业标准工艺限制,通过自主研发的金属层增厚技术,可将射频模块关键金属层厚度提升,大幅降低电流传输阻抗,使 PA 的功率效率提升,LNA 的噪声系数降低,确保北斗芯片在接收微弱卫星信号时,仍能保持高灵敏度;从模组设计到工艺实现全程自研,无需依赖外部代工厂,可自主完成 PAMiD、DiFEM 等复杂射频模组的生产制造。例如,针对北斗三号多频段信号需求,自研的 PAMiD 模组可同时集成多频段 PA、滤波器与天线,较外购模组成本降低,交付周期缩短,为北斗芯片的规模化应用提供成本与效率保障。 这款北斗芯片定位速度更快,刷新率高达25Hz,解决了高动态场景下定位 问题。实时传输北斗芯片技术

我们的北斗芯片具有极高的性价比,广受欢迎。云南集成北斗芯片

知码芯北斗芯片,低功耗高性能之选。

知码芯北斗芯片采用了28nmCMOS工艺。在此工艺中,High-K材料和GateLast处理技术的应用,更是为降低功耗立下了汗马功劳。High-K材料,即高介电常数材料,其介电常数比传统的二氧化硅(SiO2)高数倍甚至十几倍。当芯片采用High-K材料作为栅介质层时,就好比给电路中的“蓄水池”(电容)换上了更加厚实的内壁,不容易“渗漏”。这样一来,在相同的电容值下,能够有效减少栅极漏电流,降低芯片的静态功耗。同时,由于电容充放电效率更高,芯片数据读写速度也得到提升,这在一定程度上也有助于降低动态功耗。而GateLast处理技术,则是在源漏区离子注入和高温退火步骤完成之后,再进行栅极的制作。这种工艺顺序可以避免金属栅经历源漏退火高温,从而保护金属栅的功函数和HK层的质量,进一步降低了芯片的功耗。同时,它还有助于控制短通道效应,使得晶体管在尺寸缩小的情况下,依然能够保持良好的性能。 云南集成北斗芯片

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