氮化铝陶瓷的制备技术:模压成型是应用很较广的成型工艺。其工艺原理是将经过喷雾造粒后流动性好的造粒料填充到金属模腔内,通过压头施加压力,压头在模腔内产生移动,模腔内粉体在压头作用力下产生颗粒重排,颗粒间空隙内气体排出,形成具有一定强度和形状的陶瓷素坯。通常压制的初始阶段致密化速率很高,初始阶段的压力通过颗粒间的接触,使包覆有粘结剂的颗粒滑动和重排,当进一步施压时,颗粒变形增加相互间的接触面,减少颗粒间的气孔,气体在加压过程中通过颗粒间迁移,很终通过模具间隙排出。氮化铝,共价键化合物,化学式为AIN,是原子晶体,属类金刚石氮化物、六方晶系。陶瓷氮化铝生产商
AlN属于共价化合物,自扩散系数小,烧结致密化非常困难,通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结,但仍需要1800℃以上的烧结温度。近几年,出于减少能耗、降低成本以及实现AlN与金属浆料的共同烧结等因素考虑,人们开始注意AlN低温烧结技术的研究。所谓低温烧结是个相对概念,指的是将AlN的烧结温度降低到1600℃至1700℃之间实现致密度高的烧结。一般认为,AlN表层的氧是在高温下才开始向其晶格内部扩散。因此,低温烧结另外一个潜在的有利影响是可以延缓高温烧结时表层氧向AlN晶格内部扩散,增进后续热处理过程中的排氧效果,有利于制备出高热导率的陶瓷材料。低温烧结的关键技术是选择有效的烧结助剂。陶瓷氮化铝生产商环氧树脂作为一种有着很好的化学性能和力学稳定性的高分子材料,它固化方便,收缩率低。
氮化铝(AlN)综合性能相当优良,是当前具有高热传导性和出色的电绝缘特性这一有趣组合的先进陶瓷材料,这样得天独厚的优点使得业界对它的应用潜力十分看好。尽管氮化铝是当前材料科学界很炙手可热的材料之一,但其发展其实并不顺遂。尽管在1877年就已合成,但随后的100多年间其实都没什么实际应用,直到20世纪50年代,人们才成功制得氮化铝陶瓷,并作为耐火材料应用于纯铁、铝以及铝合金的熔炼。要发展氮化铝陶瓷,选对方向很关键。目前氮化铝陶瓷的制备工艺日趋成熟,应用范围也在不断扩大,尤其是进入21世纪后,人们对微电子技术的重视又为氮化铝材料的发展增添了不少筹码。
氮化铝陶瓷微观结构对热导率的影响:在实际应用中,常在AlN中加入各种烧结助剂来降低AlN陶瓷的烧结温度,与此同时在氮化铝晶格中也引入了第二相,致使热传导过程中声子发生散射导致热导率下降。添加烧结助剂引入的第二相会出现几种情况:从分布形式来看,可分为孤岛状和连续分布在晶界处;从分布位置来看,可分为分布在晶界三角处和晶界其他处。连续分布的晶粒可为声子提供了更直接的通道,直接接触AlN晶粒比孤立分布的AlN晶粒具有更高的热导率,所以第二相是连续分布的更好;分布于晶界三角处的AlN陶瓷在热传导过程中产生的干扰散射较少,而且能够使AlN晶粒间保持接触,故而第二相分布在晶界三角处更好。此外,晶界相若分布不均匀,会导致大量的气孔存在,阻碍声子的散射,导致AlN的热导率下降,晶界含量、晶界大小以及气孔率对热导率的表现也有一定的影响。因此,在AlN陶瓷的烧结过程中,可以通过改善烧结工艺的途径,如提高烧结温度、延长保温时间、热处理等,改善晶体内部缺陷,尽可能使第二相连续分布以及位于三叉晶界处,从而提高氮化铝陶瓷的热导率。纯净的AlN陶瓷可以用作透明陶瓷制造电子光学器件装备的高温红外窗口和整流罩的耐热涂层。
提高氮化铝陶瓷热导率的途径:提高氮化铝粉末的纯度,理想的氮化铝粉料应含适量的氧。除氧以外,其他杂质元素如Si、Mn和Fe等,也能进入氮化铝晶格,造成缺陷,降低氮化铝的热导率。杂质进入晶格后,使晶格发生局部畸变,由此产生应力作用,引起位错、层错等缺陷,增大声子散射,故应该提高氮化铝的粉末的纯度。改进氮化铝粉末合成方法,制备出粒径在1μm以下,含氧量1%的高纯粉末,是制备高导热氮化铝陶瓷的前提。此外,对含烧结助剂的氮化铝粉末,引入适量的碳,在制备氮化铝陶瓷的烧结过程中,于致密化之前,先对氮化铝粉末表面的氧化物进行还原碳化,也能使氮化铝陶瓷的热导率提高。由于氮化铝的声表面波速度高,具有压电性,可用作声表面波器件。陶瓷氮化铝生产商
氮化铝但当温度高于1370℃时,便会发生大量氧化作用。陶瓷氮化铝生产商
目前,AlN陶瓷烧结气氛有3种:中性气氛、还原型气氛和弱还原型气氛。中性气氛采用常用的N2、还原性气氛采用CO,弱还原性气氛则使用H2。在还原气氛中,AlN陶瓷的烧结时间及保温时间不宜过长,且其烧结温度不能过高,以免AlN被还原。而在中性气氛中不会出现上述情况,因此一般选择在氮气中烧结,以此获得性能更高的AlN陶瓷。在氮化铝陶瓷基板烧结过程中,除了工艺和气氛影响着产品的性能外,烧结助剂的选择也尤为重要。AlN烧结助剂一般是碱金属氧化物和碱土金属氧化物,烧结助剂主要有两方面的作用:一方面形成低熔点物相,实现液相烧结,降低烧结温度,促进坯体致密化;另一方面,高热导率是AlN基板的重要性能,而实现AlN基板中由于存在氧杂质等各种缺陷,热导率低于及理论值,加入烧结助剂可以与氧反应,使晶格完整化,进而提高热导率。选择多元复合烧结助剂,往往能获得比单一烧结助剂更好的烧结效果找到合适的低温烧结助剂,实现AlN低温烧结,就可以减少能耗、降低成本,便于进行连续生产。 陶瓷氮化铝生产商
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