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芯纳科技针对物联网传感器行业的特点，提供定制化的技术服务，比如为客户提供赛芯 XR4981A 与传感器主板的集成方案指导，协助客户进行功耗测试和优化，帮助客户进一步提升传感器设备的续航能力。此外，芯纳科技还为客户提供完善的售后保障，若客户在使用赛芯 XR4981A 过程中出现质量问题，可享受 7 天无理由退换货服务，同时专业售后团队会全程跟进问题解决，确保客户的生产经营不受影响。另外，作为代理商，芯纳科技还能为客户提供更优惠的采购价格，相比非代理渠道，可为客户降低 10%-15% 的采购成本，帮助物联网传感器厂商提升产品竞争力。芯纳科技直销赛芯微 ic，锂电池充电 IC 充电效率高，提升设备续航体验。无锡DS6066赛芯现货

赛芯 XR4981A，在智能玩具供电解决方案中积累经验。智能玩具如遥控汽车、机器人等，对供电系统的稳定性和安全性要求较高，赛芯 XR4981A 的输出电压稳定，能确保电机、传感器等部件的正常工作。实际应用中，该控制器的过流保护功能可防止孩子误操作导致的电路短路，提升了玩具的安全性。其宽输入电压范围适配普通电池和充电电池组，在电池电量下降时仍能维持稳定输出，避免了玩具突然停机。由于采用小型化封装，该控制器为玩具内部节省了空间，便于设计出更复杂的机械结构和功能模块。测试数据显示，搭载该控制器的智能玩具，续航时间比同类产品延长 15%，孩子的玩耍体验更加连贯，为智能玩具的研发提供了可靠的电源支持。韶关3e1EAB赛芯内置MOS 两节锂保锂电池保护系列XySemi的产品系列，产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超。

二级保护电路设计要点二级保护电路的设计要点主要包括以下几个方面：1.电路组成和工作原理二级保护电路通常包括***级静电保护电路和第二级静电保护电路。***级静电保护电路连接于输入管脚和接地端之间，而第二级静电保护电路则包括电阻和MOS晶体管，其中MOS晶体管的源极和漏极均与输出管脚相连，其栅极与接地端相连，衬体端也与接地端相连。这样的设计可以在减少占用芯片面积的同时，维持相同的静电保护效果3。2.保护电路的选择和应用在设计保护电路时，需要根据具体的应用场景选择合适的保护元件。例如，瞬态电压抑制二极管（TVS）是一种常用的电子元件，用于保护电路免受过电压的影响。在电力系统、通信设备、计算机硬件和其他敏感电子设备中，TVS是不可或缺的保护元件1。3.电路的稳定性和可靠性在设计二级保护电路时，还需要考虑电路的稳定性和可靠性。例如，在激光二极管保护电路的设计中，需要重点分析电流、瞬态电压处理等关键因素。

深圳市芯纳科技，为消费电子企业提供赛芯XR4981A，在Type-c快充设备场景中表现突出。赛芯XR4981A作为同步升压控制器，输入电压范围覆盖3.6-36V，输出功率比较高达120W，能满足多种快充设备的供电需求。据合作企业反馈，搭载该控制器的Type-c快充充电器，充电效率比同类产品平均提升5%，在30分钟内可将手机电量从20%充至80%，缩短了充电时间。其采用QFN3*3-16封装，体积小巧，可集成到小型化的快充设备中，适配便携式充电宝、笔记本电脑充电器等产品。在实际使用中，该控制器的带载能力稳定，即使在多设备同时充电的情况下，也能保持输出电压的稳定，减少了因电压波动导致的设备损坏风险。此外，400KHz的工作频率降低了电磁干扰，使快充设备通过了相关的电磁兼容测试，符合消费电子领域的严格标准，为Type-c快充设备的研发和生产提供了可靠支持。芯纳科技推广赛芯微 ic，移动电源芯片集成度高，为移动电源产品赋能增效。

XBM2138QFA  移动电源应用两串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。北京6096J9t赛芯方案公司

3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.无锡DS6066赛芯现货

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。无锡DS6066赛芯现货