天津DS2730赛芯集成MOS 两节锂保

   DS3056B充电管理高度集成■高效Buck-Boost变换器（开关频率：比较大400kHz）■内置环路补偿电路■比较高充电效率：98%■内置16-bit高精度ADC■充电输入电压■内置USBType-C接口■电池串数支持2~6串■集成电量计算■电池电压可选■集成LED显示，支持1灯/2灯/4灯的显示方式■充电功率可选：20W/30W/36W/45W/65W/100W（不同的串数支持不同的功率）■集成I2C接口，通过接口可设置充放电的开/关，充电功率，特殊电池电压范围的设置，获取充放电的电压/电流/NTC温度/和工作状态■充电电流精度5mA、电压检测精度10mV■休眠时静态电流＜60μA■具有外部休眠唤醒功能，可配合外部放大器做电流唤醒功能是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC，集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持，、；输出5V/3A。具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路，即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM7102 型号现货供应，可及时响应采购订单。天津DS2730赛芯集成MOS 两节锂保

XBM2138QFA2串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA内置MOS2串锂保内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能汕头DS6066赛芯代理4-7串锂电池保护 XBM5774 级联功能/集成均衡/NTC/Sense/SSOP24。

 XBM4530系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。

深圳市芯纳科技作为赛芯 XR4981A 的质量代理商，在智能穿戴设备应用场景中展现出优势。智能穿戴设备对充电 IC 的体积、功耗和稳定性要求极高，赛芯 XR4981A 采用超小封装设计，能完美适配智能手表、手环等紧凑空间，同时低功耗特性可有效延长设备续航时间，满足用户对设备长时间使用的需求。而芯纳科技的代理优势更是为客户提供了坚实保障，作为官方授权代理商，芯纳科技拥有稳定且充足的赛芯 XR4981源，可避免因原厂供货波动导致的断供风险，确保智能穿戴设备厂商的生产计划顺利推进。2串 内置均衡MOS,带船运/SenseXBM325X.

赛芯 XR4981A，在便携式监控设备场景中表现稳定。便携式监控设备如随身摄像头、移动监控终端等，需要可靠的供电系统支持，赛芯 XR4981A 的高输入输出电压特性，能适配内置电池和外接电源。测试表明，该控制器在监控设备待机时功耗降低 30%，在录制 4K 视频时输出功率稳定，画面不会出现卡顿或中断。其小型化封装设计使监控设备体积缩小，便于隐蔽安装。在户外监控场景中，该控制器的防水防潮性能经过验证，在雨天仍能正常工作，确保监控设备的连续运行。合作企业表示，使用该控制器后，监控设备的故障率降低 9%，维护成本减少，为安防监控系统的灵活部署提供了保障。在输入端的NTC热敏电阻，是靠充电器的输入电流来加热，降低电阻。韶关XBM4451赛芯厂家

高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V~4.5V电芯平台；天津DS2730赛芯集成MOS 两节锂保

保护IC应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。天津DS2730赛芯集成MOS 两节锂保