珠海XBM3215MDA赛芯方案公司

深圳市芯纳科技为电子雾化设备企业供应赛芯XR4981A，在供电系统场景中发挥重要作用。对供电模块的安全性和稳定性要求严苛，赛芯XR4981A的输出电压范围为VIN-36V，能精细匹配雾化器的工作电压，确保烟雾量稳定。实际测试表明，搭载该控制器的，在连续使用1000次后，输出电压波动不超过±2%，避免了因电压不稳导致的雾化芯损坏。其高效的能量转换能力，使电池电量利用率提升6%，单次充电可支持更多次使用，减少了用户充电频率。此外，该控制器具备过流保护功能，当电路出现异常电流时会自动切断输出，降低了的安全隐患。采用QFN封装后，其抗振动性能增强，适应日常携带中的颠簸场景，确保的长期稳定运行，为电子雾化设备的安全使用提供了有力保障。芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM5254 型号现货供应，保障生产顺利进行。珠海XBM3215MDA赛芯方案公司

物联网传感器作为物联网系统的 “感知”，广泛应用于智慧农业、工业监测、智能家居等领域，其对供电稳定性和低功耗的要求极高，而深圳市芯纳科技代理的赛芯 XR4981A 在该场景中表现出色。赛芯 XR4981A 具备低待机功耗特性，能有效降低物联网传感器的能耗，延长电池使用寿命，减少传感器更换电池的频率，尤其适用于安装在偏远地区、不易维护的物联网传感器设备。同时，该 IC 支持宽电压输入，可适配不同类型的供电电源，满足物联网传感器在复杂环境下的供电需求。苏州XBM4551赛芯代理芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM7101 型号当前现货，为客户提供可靠货源。

XBM2138QFA两串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能

深圳市芯纳科技，为消费电子企业提供赛芯XR4981A，在Type-c快充设备场景中表现突出。赛芯XR4981A作为同步升压控制器，输入电压范围覆盖3.6-36V，输出功率比较高达120W，能满足多种快充设备的供电需求。据合作企业反馈，搭载该控制器的Type-c快充充电器，充电效率比同类产品平均提升5%，在30分钟内可将手机电量从20%充至80%，缩短了充电时间。其采用QFN3*3-16封装，体积小巧，可集成到小型化的快充设备中，适配便携式充电宝、笔记本电脑充电器等产品。在实际使用中，该控制器的带载能力稳定，即使在多设备同时充电的情况下，也能保持输出电压的稳定，减少了因电压波动导致的设备损坏风险。此外，400KHz的工作频率降低了电磁干扰，使快充设备通过了相关的电磁兼容测试，符合消费电子领域的严格标准，为Type-c快充设备的研发和生产提供了可靠支持。芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM3204BCA 当前现货，满足客户批量采购需求。

锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM3214DBA 型号现货在售，货源稳定可靠。无锡XBM5244 赛芯厂家

锂保PCB应用注意事项-布局。珠海XBM3215MDA赛芯方案公司

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。珠海XBM3215MDA赛芯方案公司