深圳市芯纳科技已为工业设备厂商提供赛芯 XR4981A,在 12V 转 20V 5A 电压转换场景中表现可靠。工业自动化设备中,常需要将 12V 电源转换为 20V 5A 的输出,为传感器、执行器等部件供电,赛芯 XR4981A 的拓扑结构专为升压设计,能高效完成这一转换。据工业现场数据显示,该控制器的转换效率可达 92%,比传统控制器降低 3% 的能耗,适合长时间运行的工业设备。其输入限流值可调节,能根据不同设备的功耗需求灵活设置,避免了电源过载情况的发生。在粉尘、高温的工业环境中,赛芯 XR4981A 的稳定性经过验证,连续工作 1000 小时后性能无明显衰减,满足工业级设备的可靠性要求。此外,其反馈电压为 1.21V,确保了输出电压的精度控制,减少了因电压偏差导致的设备测量误差,为工业自动化系统的精细运行提供了稳定的电力支持。芯纳科技是赛芯芯片代理服务商,XBM3360 型号现货供应,可快速完成订单交付。广州6096J9r赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

赛芯 XR4981A,在物联网传感器供电场景中发挥作用。物联网传感器通常需要长期稳定运行,赛芯 XR4981A 的低功耗设计使其能在电池供电下工作数年,减少了更换电池的频率。其宽输入电压范围适配太阳能供电、电池组等多种方式,在光照不足的环境中仍能通过电池维持供电。测试数据显示,该控制器的静态功耗为 5mA,远低于同类产品,大幅延长了传感器的续航时间。在工业物联网场景中,其带载能力可支持多个传感器同时工作,输出电压稳定,确保了数据采集的准确性。此外,该控制器的抗振动性能较强,在工厂流水线、机械设备上安装时不易出现接触不良,为物联网系统的稳定运行提供了电力支持。佛山XBM3214DBA赛芯内置MOS 两节锂保芯纳科技专注赛芯芯片代理,XBM5770 现货在售,可快速响应订单需求。

深圳市芯纳科技为移动办公设备厂商供应赛芯 XR4981A,在笔记本电脑辅助供电解决方案中应用。笔记本电脑在使用外接设备时,对供电系统的带载能力要求较高,赛芯 XR4981A 的 120W 最大输出功率,能满足外接显示器、移动硬盘等设备的同时供电需求。实际测试表明,搭载该控制器的笔记本扩展坞,在连接 4 个 USB 设备时,输出电压仍能稳定在 20V,确保各设备正常工作。其小型化封装设计使扩展坞体积缩小 15%,便于用户携带。在电池供电模式下,该控制器的高效性能使笔记本续航延长 8%,减少了户外办公时的电量焦虑。此外,其过压保护功能能有效防止电压过高损坏笔记本主板,提升了设备的使用安全性,为移动办公设备的功能扩展提供了稳定的电力支持。
深圳市芯纳科技作为赛芯 XR4981A 的质量代理商,在智能穿戴设备应用场景中展现出优势。智能穿戴设备对充电 IC 的体积、功耗和稳定性要求极高,赛芯 XR4981A 采用超小封装设计,能完美适配智能手表、手环等紧凑空间,同时低功耗特性可有效延长设备续航时间,满足用户对设备长时间使用的需求。而芯纳科技的代理优势更是为客户提供了坚实保障,作为官方授权代理商,芯纳科技拥有稳定且充足的赛芯 XR4981源,可避免因原厂供货波动导致的断供风险,确保智能穿戴设备厂商的生产计划顺利推进。芯纳科技作为赛芯芯片代理,XBM3214 现货充足,支持客户紧急生产订单。

DS3056B—2-6串快充充电,比较高功率100W;5V/3A放电管理SOC、DS3056B是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC,集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计,I2C通信等功能模块,支持2-6串电芯,比较大100W充电功率,支持CC-CV切换,支持PD3.0,QC2.0、Apple 2.4A, BC1.2 DCP快充充电协议;输出5V/3A。 具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路,即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。芯纳科技提供赛芯芯片代理服务,XBM5254 型号现货供应,保障生产顺利进行。佛山XBM3214DBA赛芯原厂
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PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联,实现几乎是直接翻倍的带载能力,降低内阻,提高效率,但布板清注意:①两个芯片尽量对称,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地,减小布线内阻和加强散热。③,每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻,并且布的离VDD近些,尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些,也无需多粗,但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小,PCB板上,封装焊盘略大一些,避免虚焊。②,走线经过电阻后,先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND,使整个电容环路**小。④芯片的GND(B-)到VM建议预留一个C2()电容位置,C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD,建议连接芯片的GND(B-)或者悬空。广州6096J9r赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保