佛山6096J9m赛芯内置MOS 两节锂保

赛芯 XR4981A，在智能玩具供电解决方案中积累经验。智能玩具如遥控汽车、机器人等，对供电系统的稳定性和安全性要求较高，赛芯 XR4981A 的输出电压稳定，能确保电机、传感器等部件的正常工作。实际应用中，该控制器的过流保护功能可防止孩子误操作导致的电路短路，提升了玩具的安全性。其宽输入电压范围适配普通电池和充电电池组，在电池电量下降时仍能维持稳定输出，避免了玩具突然停机。由于采用小型化封装，该控制器为玩具内部节省了空间，便于设计出更复杂的机械结构和功能模块。测试数据显示，搭载该控制器的智能玩具，续航时间比同类产品延长 15%，孩子的玩耍体验更加连贯，为智能玩具的研发提供了可靠的电源支持。芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM3214JFG 现货充足，支持客户批量订单交付。佛山6096J9m赛芯内置MOS 两节锂保

XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片  、4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能汕头3T1FAA赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM5254 当前现货，满足客户即时采购需求。

   在当今以电子设备为主导的时代，锂电池作为一种**、轻便的能源存储装置，被广泛应用于手机、笔记本电脑、电动汽车等众多领域。而在锂电池的安全运行中，锂电池保护IC起着至关重要的作用。锂电池保护IC，即锂电池保护集成电路，是专门为保护锂电池而设计的一种芯片。它的主要作用是监测锂电池的工作状态，并在出现异常情况时及时采取措施，以防止锂电池发生过充、过放、过流和短路等危险情况。首先，锂电池保护IC可以防止过充电。当锂电池在充电过程中，电压会逐渐升高。如果充电电压过高，可能会导致锂电池内部发生化学反应，甚至引发等危险情况。锂电池保护IC会实时监测锂电池的充电电压，一旦发现电压超过设定的安全值，就会立即切断充电电路，从而避免过充电的发生。其次，保护IC能够防止过放电。当锂电池在放电过程中，电压会逐渐降低。如果放电电压过低，可能会导致锂电池内部的电极材料受损，影响锂电池的使用寿命。锂电池保护IC会监测锂电池的放电电压，当电压低于设定的安全值时，就会切断放电电路，防止过放电的发生。此外，锂电池保护IC还可以防止过流和短路。在使用锂电池的过程中，如果出现短路或过大的电流，可能会导致锂电池发热、起火甚至。

深圳市芯纳科技为电子雾化设备企业供应赛芯 XR4981A，在供电系统场景中发挥重要作用。对供电模块的安全性和稳定性要求严苛，赛芯 XR4981A 的输出电压范围为 VIN-36V，能精细匹配雾化器的工作电压，确保烟雾量稳定。实际测试表明，搭载该控制器的，在连续使用 1000 次后，输出电压波动不超过 ±2%，避免了因电压不稳导致的雾化芯损坏。其高效的能量转换能力，使电池电量利用率提升 6%，单次充电可支持更多次使用，减少了用户充电频率。此外，该控制器具备过流保护功能，当电路出现异常电流时会自动切断输出，降低了的安全隐患。采用 QFN 封装后，其抗振动性能增强，适应日常携带中的颠簸场景，确保的长期稳定运行，为电子雾化设备的安全使用提供了有力保障。芯纳科技代理赛芯芯片，XBM5770 型号当前现货，可及时响应客户订单需求。

物联网传感器作为物联网系统的 “感知”，广泛应用于智慧农业、工业监测、智能家居等领域，其对供电稳定性和低功耗的要求极高，而深圳市芯纳科技代理的赛芯 XR4981A 在该场景中表现出色。赛芯 XR4981A 具备低待机功耗特性，能有效降低物联网传感器的能耗，延长电池使用寿命，减少传感器更换电池的频率，尤其适用于安装在偏远地区、不易维护的物联网传感器设备。同时，该 IC 支持宽电压输入，可适配不同类型的供电电源，满足物联网传感器在复杂环境下的供电需求。芯纳科技代理赛芯芯片，XBM3214DCA 现货在售，可快速响应客户采购需求。中山6096J9m赛芯代理

芯纳科技提供赛芯 XBM3215JFG 芯片代理服务，该型号当前现货充足，可快速响应采购需求。佛山6096J9m赛芯内置MOS 两节锂保

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。佛山6096J9m赛芯内置MOS 两节锂保