珠海XBM7102赛芯内置MOS 两节锂保

XBM4X30系列产品、3或4串电池组的二级保护芯片主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM3214 现货充足，支持客户紧急生产订单。珠海XBM7102赛芯内置MOS 两节锂保

赛芯 XR4981A，在便携式监控设备场景中表现稳定。便携式监控设备如随身摄像头、移动监控终端等，需要可靠的供电系统支持，赛芯 XR4981A 的高输入输出电压特性，能适配内置电池和外接电源。测试表明，该控制器在监控设备待机时功耗降低 30%，在录制 4K 视频时输出功率稳定，画面不会出现卡顿或中断。其小型化封装设计使监控设备体积缩小，便于隐蔽安装。在户外监控场景中，该控制器的防水防潮性能经过验证，在雨天仍能正常工作，确保监控设备的连续运行。合作企业表示，使用该控制器后，监控设备的故障率降低 9%，维护成本减少，为安防监控系统的灵活部署提供了保障。韶关XBM5773赛芯现货芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM3212DGB 现货在售，为客户提供稳定货源。

小家电，电工工具等2-6串电池包充电管理，DS3056B是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC，集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持PD3.0，QC2.0、Apple 2.4A, BC1.2 DCP快充充电协议；输出5V/3A。 具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路，即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。

深圳市芯纳科技，为消费电子企业提供赛芯 XR4981A，在 Type-c 快充设备场景中表现突出。赛芯 XR4981A 作为同步升压控制器，输入电压范围覆盖 3.6-36V，输出功率比较高达 120W，能满足多种快充设备的供电需求。据合作企业反馈，搭载该控制器的 Type-c 快充充电器，充电效率比同类产品平均提升 5%，在 30 分钟内可将手机电量从 20% 充至 80%，缩短了充电时间。其采用 QFN3*3-16 封装，体积小巧，可集成到小型化的快充设备中，适配便携式充电宝、笔记本电脑充电器等产品。在实际使用中，该控制器的带载能力稳定，即使在多设备同时充电的情况下，也能保持输出电压的稳定，减少了因电压波动导致的设备损坏风险。此外，400KHz 的工作频率降低了电磁干扰，使快充设备通过了相关的电磁兼容测试，符合消费电子领域的严格标准，为 Type-c 快充设备的研发和生产提供了可靠支持。芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM7102 型号现货供应，可及时响应采购订单。

小型家电市场竞争激烈，厂商对零部件的性价比、适配性和供货效率要求严苛，深圳市芯纳科技代理的赛芯 XR4981A 在小型家电应用场景中展现出独特优势，同时芯纳科技的代理实力也成为客户合作的重要保障。在小型家电如迷你加湿器、小型榨汁机、便携式风扇等设备中，赛芯 XR4981A 凭借高效的充电效率和稳定的性能，能为设备提供可靠的充电支持，缩短设备充电时间，提升用户使用体验。该 IC 还具备良好的兼容性，可适配不同规格的锂电池，满足不同小型家电的供电需求。作为赛芯 XR4981A 的代理商，深圳市芯纳科技的优势体现在多个方面。首先，芯纳科技拥有丰富的小型家电行业合作经验，熟悉不同类型小型家电的技术需求和生产流程，能为客户提供精细的产品选型建议，帮助客户快速找到适配的赛芯 XR4981A 型号，避免因选型不当导致的研发延误。芯纳科技提供赛芯 XBM3215JFG 芯片代理服务，该型号当前现货充足，可快速响应采购需求。珠海DS6066赛芯方案公司

芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM325 型号当前现货，满足客户多样化需求。珠海XBM7102赛芯内置MOS 两节锂保

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。珠海XBM7102赛芯内置MOS 两节锂保