韶关XBM3214DGB赛芯现货

XBM4X30系列产品、3或4串电池组的二级保护芯片主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM3215DGB 现货在售，助力客户高效采购。韶关XBM3214DGB赛芯现货

赛芯 XR4981A，在物联网传感器供电场景中发挥作用。物联网传感器通常需要长期稳定运行，赛芯 XR4981A 的低功耗设计使其能在电池供电下工作数年，减少了更换电池的频率。其宽输入电压范围适配太阳能供电、电池组等多种方式，在光照不足的环境中仍能通过电池维持供电。测试数据显示，该控制器的静态功耗为 5mA，远低于同类产品，大幅延长了传感器的续航时间。在工业物联网场景中，其带载能力可支持多个传感器同时工作，输出电压稳定，确保了数据采集的准确性。此外，该控制器的抗振动性能较强，在工厂流水线、机械设备上安装时不易出现接触不良，为物联网系统的稳定运行提供了电力支持。东莞XBM3214赛芯厂家芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM3212JFG 当前现货，可及时完成订单交付。

物联网传感器作为物联网系统的 “感知”，广泛应用于智慧农业、工业监测、智能家居等领域，其对供电稳定性和低功耗的要求极高，而深圳市芯纳科技代理的赛芯 XR4981A 在该场景中表现出色。赛芯 XR4981A 具备低待机功耗特性，能有效降低物联网传感器的能耗，延长电池使用寿命，减少传感器更换电池的频率，尤其适用于安装在偏远地区、不易维护的物联网传感器设备。同时，该 IC 支持宽电压输入，可适配不同类型的供电电源，满足物联网传感器在复杂环境下的供电需求。

芯纳科技针对物联网传感器行业的特点，提供定制化的技术服务，比如为客户提供赛芯 XR4981A 与传感器主板的集成方案指导，协助客户进行功耗测试和优化，帮助客户进一步提升传感器设备的续航能力。此外，芯纳科技还为客户提供完善的售后保障，若客户在使用赛芯 XR4981A 过程中出现质量问题，可享受 7 天无理由退换货服务，同时专业售后团队会全程跟进问题解决，确保客户的生产经营不受影响。另外，作为代理商，芯纳科技还能为客户提供更优惠的采购价格，相比非代理渠道，可为客户降低 10%-15% 的采购成本，帮助物联网传感器厂商提升产品竞争力。芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM3204JFG 型号现货在售，保障供应链稳定。

深圳市芯纳科技已为工业设备厂商提供赛芯 XR4981A，在 12V 转 20V 5A 电压转换场景中表现可靠。工业自动化设备中，常需要将 12V 电源转换为 20V 5A 的输出，为传感器、执行器等部件供电，赛芯 XR4981A 的拓扑结构专为升压设计，能高效完成这一转换。据工业现场数据显示，该控制器的转换效率可达 92%，比传统控制器降低 3% 的能耗，适合长时间运行的工业设备。其输入限流值可调节，能根据不同设备的功耗需求灵活设置，避免了电源过载情况的发生。在粉尘、高温的工业环境中，赛芯 XR4981A 的稳定性经过验证，连续工作 1000 小时后性能无明显衰减，满足工业级设备的可靠性要求。此外，其反馈电压为 1.21V，确保了输出电压的精度控制，减少了因电压偏差导致的设备测量误差，为工业自动化系统的精细运行提供了稳定的电力支持。芯纳科技提供赛芯 XBM3215JFG 芯片代理服务，该型号当前现货充足，可快速响应采购需求。韶关XBM3214DGB赛芯现货

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   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。韶关XBM3214DGB赛芯现货