韶关XBM4451赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

DS3056B—2-6串快充充电，比较高功率100W；5V/3A放电管理SOC、DS3056B是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC，集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持PD3.0，QC2.0、Apple 2.4A, BC1.2 DCP快充充电协议；输出5V/3A。 具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路，即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。7-10串锂电池保护NTC/SSOP20 多节锂电池保护——二级保护XBM7102。韶关XBM4451赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

赛芯 XR4981A，在便携式农业监测设备场景中发挥作用。便携式农业监测设备如土壤检测仪、病虫害监测仪等，需要在田间地头长期使用，赛芯 XR4981A 的宽温工作特性使其能适应 - 10℃至 50℃的环境温度。其低功耗设计使设备在电池供电下可连续工作 72 小时以上，满足一天的田间作业需求。测试数据显示，该控制器的输出电压稳定，确保了传感器测量数据的准确性，土壤湿度、PH 值等参数的测量误差控制在合理范围内。其抗腐蚀性能经过验证，在接触农田土壤和水分后不会出现性能下降，延长了设备使用寿命。合作的农业设备企业反馈，使用该控制器后，设备的维护频率降低，为农业生产的精细监测提供了可靠的电力支持。深圳XBM5774 赛芯内置MOS 两节锂保高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片，具有功能全、集成度高，外部电路简单，调节方便。

赛芯 XR4981A，在笔记本电脑辅助供电解决方案中应用。笔记本电脑在使用外接设备时，对供电系统的带载能力要求较高，赛芯 XR4981A 的 120W 最大输出功率，能满足外接显示器、移动硬盘等设备的同时供电需求。实际测试表明，搭载该控制器的笔记本扩展坞，在连接 4 个 USB 设备时，输出电压仍能稳定在 20V，确保各设备正常工作。其小型化封装设计使扩展坞体积缩小 15%，便于用户携带。在电池供电模式下，该控制器的高效性能使笔记本续航延长 8%，减少了户外办公时的电量焦虑。此外，其过压保护功能能有效防止电压过高损坏笔记本主板，提升了设备的使用安全性，为移动办公设备的功能扩展提供了稳定的电力支持。

2~6串升降压30~100W移动电源SOC DS6036B是一款高集成、多协议双向快充移动电源应用SOC，集成了同步开关升降压变换器、支持2~6节电池串联，支持30~100W功率选择，支持A+A+CinoutCinoutCinoutCinoutCinout+CinoutCinoutCinoutCinoutCinout任意口快充，支持CC-CV切换，支持//等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTCNTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。2串 XBM2138 集成均衡/集成MOS 锂电池保护IC.

    DS3056B充电管理高度集成■高效Buck-Boost变换器（开关频率：比较大400kHz）■内置环路补偿电路■比较高充电效率：98%■内置16-bit高精度ADC■充电输入电压■内置USBType-C接口■电池串数支持2~6串■集成电量计算■电池电压可选■集成LED显示，支持1灯/2灯/4灯的显示方式■充电功率可选：20W/30W/36W/45W/65W/100W（不同的串数支持不同的功率）■集成I2C接口，通过接口可设置充放电的开/关，充电功率，特殊电池电压范围的设置，获取充放电的电压/电流/NTC温度/和工作状态■充电电流精度5mA、电压检测精度10mV■休眠时静态电流＜60μA■具有外部休眠唤醒功能，可配合外部放大器做电流唤醒功能是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC，集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持，、；输出5V/3A。具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路，即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。 多节锂电保护产品详细介绍。上海XBM3215JFG赛芯内置MOS 两节锂保

移动电源soc芯片 DS5136B 22.5W-27W 单串移动电源.韶关XBM4451赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。韶关XBM4451赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保