XB5608AJ电源管理IC代理

DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源，但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性，使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容，这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题，进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法，为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值，半导体工艺变得极为复杂，使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法，因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积，不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件，而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案，要么需要CSP（芯片尺寸级封装）型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程，使得制作工程复杂，带来了产生成本上升的课题。连接前级电源的反馈节点，调节系统级的输出电压。XB5608AJ电源管理IC代理

保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。XB7608AJ3c1DS6036B 2~6串30~100W方案：支持 2~6节电池串联，支持 30~100W 功率选择。

DS6036B集成涓流、恒流、恒压锂电池充电管理系统：当电池电压小于VTRKL时，采用涓流电流充电；当电池电压大于VTRKL时，进入输入恒流充电，电池端上限充电电流8A；当电池电压接近设定的电池电压时，进入恒压充电；当电池端充电电流小于停充电流ISTOP且电池电压接近恒压电压时，停止充电。充电完成后，若电池电压低于(VTRGT–N*0.1)V，重新开启电池充电。DS6036B采用开关充电技术，充电效率上限达到96%，能缩短3/4的充电时间。支持边充边放功能，在边充边放时，输入输出均为5V。

DS5136B是点思针对单节移动电源市场推出的一颗移动电源SOC。DS5136B-1S-22.5W串移动电源方案：单串电池，支持22.5-27W功率选择，支持CCAA、CC线L线A、CLinAA等输出方式，单击按键开机并显示电量，双击按键关机进入休眠，长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换，支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/BC1.2DCP及APPLE2.4A等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。我们的产品优势：效率高，温度底；可实现双C输入输出；支持在线烧录。根据接入设备的功率请求，自动匹配极限的电压和电流输出。

DS6036B集成的KEY管脚内置上拉电阻，用于检测按键的输入，支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应，无效操作。按键持续时间长于100ms，但小于2s，即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s，即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键，会关闭升压输出、电量显示，进入休眠模式。DS6036B 自动检测手机插入，手机插入后即刻从待机状态唤醒，开启升压给手机充电，省去按键操作， 可支持无按键模具方案。电池电源管理芯片，包括锂离子电池（Li-ion）、锂聚合物电池（Li-Po）以及镍氢电池（Ni-MH）等。XB4146电源管理IC上海芯龙

点思DS5136边充边放：无线充放电、适配器给移动电源充电。XB5608AJ电源管理IC代理

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BXB5608AJ电源管理IC代理