东莞2V1EAE赛芯现货

船运模式 XBM325 两串锂电池保护芯片介绍35W以内  2串锂保集成MOS  内置均衡  船运模式：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能锂电充电管理、DC降压 0.5-1A电流 +OVP过压保护 。东莞2V1EAE赛芯现货

电池保护IC的广泛应用领域消费电子领域在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，电池保护IC发挥着至关重要的作用。以智能手机为例，每天频繁的充电、放电操作，如果没有电池保护IC的守护，电池很容易因过充、过放而损坏，影响手机的续航和使用寿命。而有了电池保护IC，用户可以放心地使用手机，不用担心电池安全问题。新能源汽车领域新能源汽车的动力电池组由多个电池单元组成，对电池保护的要求更为严格。电池保护IC不仅要对每个电池单元进行过充、过放、过流保护，还要对整个电池组进行均衡管理，确保各个电池单元的电量保持一致，避免因个别电池单元性能差异导致整个电池组性能下降。这对于提升新能源汽车的续航里程、安全性和可靠性具有重要意义。电池保护IC凭借其独特的工作原理和优势，在众多领域中发挥着不可或缺的作用。深圳市芯纳科技技术有限公司，以其在电子技术领域的积累，若未来投身电池保护IC领域，有望凭借专业的技术团队和创新精神，为电池保护IC的发展注入新的活力，为保障电池安全、推动电子设备行业的发展贡献力量。随着科技的不断进步，电池保护IC的性能将不断提升，为我们的生活带来更多的便利和安全。广州XBM5773赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保多节锂电池保护电路， XBM2138 XBM32XX XBM325X XBM3360。

XBM5244 用于3-4串锂电池的保护芯片，芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16  概述锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况

 6--7串锂电池保护芯片介绍,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：6-7串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片，具有功能全、集成度高，外部电路简单，调节方便。

    单路2~6串升降压30~100W移动电源SOC  DS6036B是一款高集成、多协议双向快充移动电源应用SOC，集成了同步开关升降压变换器、支持2~6节电池串联，支持30~100W功率选择，支持A+A+CinoutCinoutCinoutCinoutCinout+CinoutCinoutCinoutCinoutCinout任意口快充，支持CC-CV切换，支持//等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTCNTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。 带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。南京3m1FAB赛芯集成MOS 两节锂保

5串/NTC/MSOP10多节锂电保护产品——二级保护 XBM4530。东莞2V1EAE赛芯现货

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。 东莞2V1EAE赛芯现货