北京DS3056赛芯现货

XBM3214 用于2串锂电池的保护芯片，芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，采用SOT23 - 6封装 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好。北京DS3056赛芯现货

    多节锂电池二级保护IC是为可充电电池组提供额外保护的芯片，主要通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护等功能，多一级保护，应用领域多节锂电池二级保护IC广泛应用于需要多节锂电池供电的设备中，如电动工具、电子产品等，以电池的安全使用和延长电池寿命。选择建议如果有现成的保护IC需求，可直接在世强进行搜索，然后在搜索结果中根据自身具体需求进行筛选。过充保护电压检测与：多节锂电池串联后总电压升高，要精细检测每节电池电压。当某节或多节电池电压超过规定阈值（如单节锂离子电池过充阈值通常在-，不同电池可能有差异），IC及时发出信号，MOS开关关断充电回路。例如在带有保护电路的电池中，当IC检测到单节电池电压达到（不同IC该值不同）时，其“CO”脚由高电压转变为零电压，使对应的MOS管由导通转为关断，切断充电回路3。延时设置：在IC检测到过充电压至发出关断信号之间设置延时，通常设为1秒左右，避免因干扰造成误判断3。过放保护电压监测：实时监测每节电池电压，当某节电池电压降至规定的过放电压（如单节电池降至-）时，ICMOS开关关断放电回路。比如IC检测到单节电池电压低于（不同IC该值不同）时。 北京DS3056赛芯现货移动电源soc芯片 DS5136B+EPP无线充 22.5W 单串移动电源+无线充.

    多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。

    主要描述XBM4530系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。 充电管理芯片、LED驱动芯片、直流 - 直流转换芯片、温度开关芯片、电池放电管理芯片。

XBM3214  用于2串锂电池的保护芯片，芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，采用SOT23 - 6封装 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点2~3串锂电保护 多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM2138/XBM32XX 推挽。扬州3e1EAB赛芯方案公司

DS2730B 65W-100W 多口充协议.北京DS3056赛芯现货

XBM2138内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积） 内置MOS，集成均衡功能北京DS3056赛芯现货