深圳市点思半导体有限公司专注于智能电源技术,主要面向智能快充,储能和工业电源领域,提供高性能数模混合芯片产品。公司成立于2023年,总部设立在深圳,同时在成都设有研发中心。**研发团队来自国内外前列半导体公司,拥有多位海归大厂技术骨干,都拥有着10年以上的芯片开发经验,拥有强大的研发创新能力。创立之初便推出了多款移动电源SOC,帮助客户实现产品升级,受到客户的高度认可。移动电源SOC具有高集成、多协议双向快充,集成了同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能,支持1-6节电池,支持点思半导体秉承着为客户提供质量产品的理念,立志成为国内前列的数模混合芯片设计公司。从业20年的***市场总监带领团队分析市场需求和发展趋势,为公司产品研发指出方向。 锂电池保护系列XySemi的产品系列,产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池。深圳XBM5770 赛芯方案公司
单路2~6串升降压30~100W移动电源SOC DS6036B是一款高集成、多协议双向快充移动电源应用SOC,集成了同步开关升降压变换器、支持2~6节电池串联,支持30~100W功率选择,支持A+A+CinoutCinoutCinoutCinoutCinout+CinoutCinoutCinoutCinoutCinout任意口快充,支持CC-CV切换,支持//等主流快充协议,集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTCNTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。 韶关2e1EAB赛芯原厂正极保护的锂电池保护方案。
小家电、电动工具充电的快充管理DS3056是一款面向小家电/电动工具充电的快充管理SOC,集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计,I2C通信等功能模块,支持2-6串电芯,比较大100W充电功率,支持CC-CV切换,支持主流快充协议,并提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等完备的保护功能。可组成小家电和电动工具的快充充电方案。集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护:电池充电过程中,实时监测输入电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭充电通路。过流保护:充电过程中,利用内部的高精度实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,触发过流保护,芯片自动关闭充电通路。过温保护:电池充放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTC,实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时,首先降低功率。,则自动关闭充电通路。电池过充保护:充电过程中,实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时。
多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护,包括保护IC和MOSFET,它能够实时监测电池的电压和充放电电流,并在必要时MOSFET的导通或关断,以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的,能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态,阻止电流流动,从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时,PTC或MHP会呈现高阻状态,阻碍电池的充放电,从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护,它是一种被动组件保护,通常作为一级保护电路(IC/Mosfet)的补充。 多节锂电保护产品详细介绍。
2串锂保集成MOS 船运模式 XBM325 两串锂电池保护芯片介绍35W以内 2串锂保集成MOS 内置均衡 船运模式:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节:保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能适用范围:适用于标称电压3.7V,充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好。深圳XBM3215MDA赛芯现货
4-5串锂电池保护 XBM4451/4551 4串和5串/集成Sense/NTC/SOP16。深圳XBM5770 赛芯方案公司
降压型C+CA多口快充SOC DS2730数据手册—降压型C+CA多口快充SOC DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。•过压/欠压保护:放电过程中,DS2730实时监测输入/输出电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭放电通路。•过流保护:放电过程中,利用内部的高精度ADCADC,实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,首先降低输出功率;如果降低功率后仍然持续过流,则触发过流保护,芯片自动关闭放电通路。•过温保护:放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTCNTC,实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度(例如,MOS管)。当温度超出预设的保护门限时,降低放电功率。•短路保护:放电过程中,实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUSBUS输出短路时,自动关闭放电通路。 深圳XBM5770 赛芯方案公司