天津XBM3204DBA赛芯厂家

船运模式 XBM325 两串锂电池保护芯片介绍35W以内  2串锂保集成MOS  内置均衡  船运模式：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.天津XBM3204DBA赛芯厂家

    电池保护IC的广泛应用领域消费电子领域在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，电池保护IC发挥着至关重要的作用。以智能手机为例，每天频繁的充电、放电操作，如果没有电池保护IC的守护，电池很容易因过充、过放而损坏，影响手机的续航和使用寿命。而有了电池保护IC，用户可以放心地使用手机，不用担心电池安全问题。新能源汽车领域新能源汽车的动力电池组由多个电池单元组成，对电池保护的要求更为严格。电池保护IC不仅要对每个电池单元进行过充、过放、过流保护，还要对整个电池组进行均衡管理，确保各个电池单元的电量保持一致，避免因个别电池单元性能差异导致整个电池组性能下降。这对于提升新能源汽车的续航里程、安全性和可靠性具有重要意义。电池保护IC凭借其独特的工作原理和优势，在众多领域中发挥着不可或缺的作用。深圳市芯纳科技技术有限公司，以其在电子技术领域的积累，若未来投身电池保护IC领域，有望凭借专业的技术团队和创新精神，为电池保护IC的发展注入新的活力，为保障电池安全、推动电子设备行业的发展贡献力量。随着科技的不断进步，电池保护IC的性能将不断提升，为我们的生活带来更多的便利和安全。惠州2L1EAE赛芯集成MOS 两节锂保移动电源SOC DS6036B+EPP无线充 30W 2串移动电源+无线充.

    多节锂电保护产品二级保护解析二级保护的定义和作用在锂电池应用中，由于过充电、过放电以及过充电过放电电流等情况会导致电池内部发生化学副反应，严重影响电池性能与使用寿命，甚至引发安全问题，因此需要对电池进行保护。一级保护通常由IC和MOSFET在充电和放电周期期间为电池组提供，而二级保护则是在一级保护的基础上，确保完整的用户安全，为装置在正常操作范围之外的情况下提供保护14。二级保护的具体体现电压异常保护过充电保护：当电池充电时，若任意一节电池达到充满状态，二级保护会发挥作用。设计的8串15A放电锂电保护板中，任意一节电池充满，相应的OC口会变为低电平，使对应的管子截止，进而让OC变为低电平，结束充电周期。

    降压型C+CA多口快充SOC  DS2730数据手册—降压型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。•过压/欠压保护：放电过程中，DS2730实时监测输入/输出电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭放电通路。•过流保护：放电过程中，利用内部的高精度ADCADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，首先降低输出功率；如果降低功率后仍然持续过流，则触发过流保护，芯片自动关闭放电通路。•过温保护：放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTCNTC，实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度（例如，MOS管）。当温度超出预设的保护门限时，降低放电功率。•短路保护：放电过程中，实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUSBUS输出短路时，自动关闭放电通路。 4-5串锂电池保护 XBM4451/4551 4串和5串/集成Sense/NTC/SOP16。

    单路􀀁2~6串升降压􀀁30~100WDC移动电源􀀁SOCDS-6066是针对DC应用场景开发的一款高集成、多协议双向快充DC移动电源应用􀀁SOC，集成了同步开关升降压变换器、支持􀀁2~6节电池串联，支持􀀁30~100W功率选择，支持􀀁A+A+Cinout+Cinout任意口快充，支持􀀁DC插入自识别并双向充放电，支持􀀁CC-CV切换，支持􀀁，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。2.应用领域空调服，加热服，移动电源其他电池供电的DC应用设备。 多节锂电保护产品详细介绍。惠州2L1EAE赛芯集成MOS 两节锂保

多串锂保应用注意事项布局。天津XBM3204DBA赛芯厂家

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。 天津XBM3204DBA赛芯厂家