汕头XBM3212DGB赛芯厂家

    主要描述XBM4530系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。 2串 XBM2138 集成均衡/集成MOS 锂电池保护IC.汕头XBM3212DGB赛芯厂家

    多节锂电保护产品功能-全保护7〜10串锂离子/锂聚合物电池二级保护推挽,次级保护IC7〜10串锂离子/锂聚合物电池保护ICXBM7102系列是一种高度集成的保护芯片，旨在保护7至10串锂离子或锂聚合物电池。它可以降低电池损坏或寿命缩短的。XBM7102系列可提供过度充电，过度放电，开放线和充电/discharge过度保护。充电/放电低温保护。可以通过外部电阻**设置XBM7102系列的超高保护阈值/过度保护阈值和放电阈值。XBM7102系列可以直接驱动。多节锂电保护产品功能-全保护7〜10串锂离子/锂聚合物电池二级保护推挽,次级保护IC7〜10串锂离子/锂聚合物电池保护ICXBM7102系列是一种高度集成的保护芯片，旨在保护7至10串锂离子或锂聚合物电池。它可以降低电池损坏或寿命缩短的。XBM7102系列可提供过度充电，过度放电，开放线和充电/discharge过度保护。充电/放电低温保护。可以通过外部电阻**设置XBM7102系列的超高保护阈值/过度保护阈值和放电阈值。XBM7102系列可以直接驱动。 深圳6096J9m赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保移动电源soc芯片DS5136B+MPP无线充 （QI2.0）22.5W 单串移动电源+无线充.

XBM3360   用于3串锂电池的保护芯片，3串 集成Sense   芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度， 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点

XBM2138QFA    两串锂电池保护芯片介绍  35W以内      XBM2138QFA    2串锂保集成MOS     内置均衡   ：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节 ，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。

XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片  、4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能多节锂电池保护电路， XBM2138 XBM32XX XBM325X XBM3360。上海DS3730赛芯原厂

高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V~4.5V电芯平台；汕头XBM3212DGB赛芯厂家

锂电保护应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。汕头XBM3212DGB赛芯厂家